Ворот устройство: Как устроена конструкция секционных ворот?

Содержание

Как устроена конструкция секционных ворот?

Сегодня комфорт и удобство являются немаловажными элементами нашей повседневной жизни. Этот фактор напрямую касается автолюбителей, которые зачастую стараются обеспечить наилучшие условия для содержания своей машины. Надежное хранение в этом случае способен обеспечить хорошо оборудованный гараж с добротными воротами.

Удобные и практичные секционные ворота

Однако многие автовладельцы задаются вопросом о том, какие же ворота лучше выбрать, чтобы они были удобны и практичны. В результате не все делают правильный выбор.

Наилучшим вариантом в этом плане являются секционные ворота. Этот тип изделия действительно удобен, при этом для нормального функционирования он требует особого внимания при установке и эксплуатации.

Поэтому для того чтобы их правильно самостоятельно собрать и установить, следует знать, как устроена и действует конструкция секционных ворот.

Отличительные черты конструкции и принцип ее функционирования

Секционные ворота – это современное изобретение, которое представляет собой полотно, состоящее из секций, металлических панелей, соединенных между собой специальными петлями. Благодаря такому устройству сплошной створки и подъемно-силовому механизму гаражных ворот обеспечивается эффект подвижности. В результате ворота плавно открываются, при этом вы будете приятно удивлены удобством при их использовании.

Теперь вы можете забыть о долгом отворении створок и дополнительных замков, как при распашной конструкции, ведь можно с помощью легкого движения руки поднять полотно вверх и открыть ворота. Устройство такого типа гаражных ворот представляет собой довольно простую и в то же время эффективную подъемную систему. Воротное полотно на подшипниковых роликах устанавливается в угловые металлические направляющие, которые монтируются по бокам гаражного проема.

Конструкция направляющих для секционных ворот

Когда ворота отворяются ручным путем, секционная створка поднимается и закатывается под потолок в горизонтальном положении. Для большего удобства большинство гаражных ворот секционного типа обустраивается автоматическим приводом. Устройство этих приводов может быть двух типов.

Первый механизм – это торсионная система, которая наиболее распространена и зачастую используется для оборудования обыкновенных домашних ворот. Этот привод устанавливается на потолке в центральной части в нескольких метрах от проема и принцип его действия предельно прост. Привод напрямую соединен с воротным полотном специальным тросом. Для надежного крепления в верхней части секционной створки монтируется тяговый рычаг. При запуске автоматики трос тянет рычаг и само полотно, отворяя ворота и заводя их под потолок.

Секционные ворота с электрическим приводом

Второй тип – это навальный привод, который устанавливается с одной из сторон верхнего торсионного вала. Сам вал крепится над полотном ворот, прямо над гаражным проемом. Навальная автоматика приводит в движение ворота, оборачивая вал посредством силового воздействия.

Навальный тип привода ворот

Дополнительно такой мотор имеет усиленную цепную систему, которая может открывать ворота даже при отсутствии электроэнергии.

Такой привод позволяет открывать ворота при отсутствии электричества

Зачастую такая автоматика не используется в домашних гаражах, поскольку она мощнее предыдущего типа изделия, более дорогостояща и предназначена для больших массивных ворот. Поэтому этот привод чаще всего устанавливается в больших ангарах и общественных гаражах.

Эти типы автоматических приводов могут быть оборудованы специальными опциями, к примеру, возможностью дистанционного управления. Однако при том, что такая система обеспечит наивысший уровень комфорта, она будет наиболее дорогой, и ее стоимость может достигать нескольких тысяч долларов. Отличительной чертой любых подъемно-секционных ворот также являются предохранительные устройства в виде балансирующих пружин и храповых муфт.

Торсионный привод ворот

Такие элементы обеспечивают автоматическую остановку движения полотна гаражных ворот при возникновении непредвиденных обстоятельств. Эта функция очень важна для подъемно-поворотного механизма, поскольку общий вес конструкции может составлять около 100– 300 кг.

Конструкция ворот с секционным полотном проста

Как видите, конструкция ворот с секционным полотном проста и принцип ее действия понятен. Главными преимуществами таких ворот являются:

Экономия места. В отличие от распашных конструкций, полотно заводится под потолок при открытии, экономя пространство в гараже.
Долговечность и повышенная теплоизоляция. Сэндвич-панели, из которых состоит воротное полотно, собираются и скрепляются между собой по особым технологиям. На сегодня существует несколько типов таких панелей. Зачастую используются модели с двумя стенками и пенополиуретановым наполнением в качестве утеплителя. Эти детали изготовляются из алюминия или стали с полимерным покрытием, которое защищает от появления коррозии и ржавчины. Высокий уровень теплоизоляции обеспечивается эластичными уплотнителями, которые плотно скрепляют сэндвич-панели между собой, исключая малейшие щели.

Универсальность. Ворота с такой конструкции можно устанавливать как в больших промышленных, так и в маленьких домашних проемах.
Удобство и простота в использовании. Оборудовав подъемно-секционные ворота автоматикой с датчиками движения, вы сможете открывать гараж, даже не дотрагиваясь до него. Чтобы каждый раз не открывать полностью все ворота, можете установить полотно с встроенной калиткой. Однако стоимость такого изделия будет где-то на 30% выше, чем стандартные модели.

Ворота с калиткой

Полностью соорудить своими руками ворота с такой конструкцией будет достаточно сложно, поэтому лучше приобрести уже готовый комплект, который без проблем можно собрать и установить самостоятельно. Главное в этом случае понимать, что работоспособность ворот будет зависеть от точности измерений, ровности и качества монтажа. При проведении любых самостоятельных работ нужно тщательно следовать инструкции.

Особенности сборки и установки

Перед покупкой комплекта подъемно-поворотных ворот обязательно измерьте проем. Проводите эту процедуру внимательно, и лучше используйте разные измерительные приборы, не только рулетку. Учитывайте, что для подъемно-секционных ворот величина притолоки должна быть около 2 метров.

Размеры дверного проема для гаражных ворот

После приобретения изделия, перед началом его сборки изучите подробно схему, которая прилагается к комплекту. Вы должны понимать все нюансы функционирования конструкции гаражных ворот.

Схема элементов конструкции ворот

Затем подготовьте инструменты для монтажа, в их состав должны входить:

электродрель;
строительный уровень;
шуруповерт.

Только после этого можете приступить к сборке. Учитывайте, что все крепежи в виде анкеров, кронштейнов и дюбелей зачастую прилагаются в комплекте изделия, однако лучше приобрести аналогичные детали дополнительно на случай, если каких-то элементов не хватит.

В первую очередь соберите по инструкции направляющие.

Направляющие для секционных ворот

Затем проделайте отверстия электродрелью со сверлом по бетону в соответствующих местах по боковинам проема. Установите направляющие с двух сторон проема, закрепив их дюбелями. Верхние горизонтальные направляющие укрепите кронштейнами. Проверьте ровность сторон уровнем.
Соберите само воротное полотно, соединяя между собой сэндвич-панели петлями и уплотнителями. Закрепите по бокам полотна ролики, прикручивая их шурупами из набора. Вставьте полотно с роликами в направляющие.
Затем установите вал с пружинами и дополнительными элементами.

Установка подъемных пружин

Теперь установите автоматику, если она предусматривается. Для этого прикрепите привод на кронштейнах к потолку и проведите трос до рычага на створе. Аккуратно проведите электропроводку по углам между стеной и потолком, укрепив ее небольшими держателями. Если у вас навальное устройство, вмонтируйте его по инструкции на крайнюю часть вала.

Вид ворот изнутри

В заключение установите заглушки, дополнительные замки и ручки. Проверьте работоспособность готовых гаражных ворот.

Таким образом, система функционирования гаражных ворот с подъемным механизмом облегчит вам жизнь. Но для того чтобы правильно ее установить у себя в гараже, учитывайте величину проема и проверяйте ровность монтажа всех деталей. При необходимости обратитесь к специалистам, которые лучше разбираются в конструкции этого изделия.

Ворота роллетные, устройство, принцип действия, установка ворот своими руками, полезные советы. Выбираем и устанавливаем роллетные ворота. Роллетные ворота или рулонные, что это такое, как выбрать и как самому их установить

Намереваясь установить защитную конструкцию на ворота дома или гаража, рекомендуем обратить внимание на роллетные гаражные ворота, которые по некоторым параметрам и эксплуатационным качествам превосходят аналогичные системы. Вас приятно удивит несложное устройство и принцип действия защитных ворот, а также возможность собственноручного монтажа.

Роллетные системы – устройство и принцип действия

Первое, что привлекает в конструкциях рулонных ворот или ворот роллетных, это компактность и оригинальность системы – защитные роллеты поднимаются к потолку гаража или сооружения и прячутся в специальном коробе.

Причем, заметьте, совершенно не перегружая пространство возле гаража или въездных ворот в дом, что позволяет производить установку ворот, где нужно экономить на территории.

Естественно, это расширяет сферу использования и применения автоматических рулонных ворот. Тем более, что устройство роллетных ворот и принцип действия моделей идентичен.

Утрированно и укрупненно, алгоритм устройства ворот роллетных следующий.

Роллетное полотно, собранное из алюминиевых ламелей, расположенных горизонтально, движется по направляющим с помощью тяговых пружин. Для закрытия проема ворот, полотно разворачивается с помощью ручного или автоматического привода и в крайней точке фиксируется запирающим устройством.

Кроме роллетного полотна в процессе функционирования системы задействованы:

привод
боковые направляющие
короб или кожух для скрытия полотна
крепежные и соединительные элементы системы.

Однако, при кажущейся простоте устройства не стоить забывать об сложностях монтажа роллетных ворот, который зависит от месторасположения и крепления короба для роллетного полотна.

cпособы установки и монтажа

Ворота роллетные и автоматические рулонные ворота можно установить следующими способами:

накладной монтаж короба
встраиваемый в стену
притолочный.

Накладной монтаж считают наиболее простым и доступным для собственноручного исполнения. Он заключается в креплении над гаражным дверным проемом вала (снаружи или изнутри) и направляющих, обеспечивающих перемещение полотна.

Внутренний (встраиваемый в стену) монтаж можно считать универсальным, обеспечивающим установку в любую геометрию проемов, не изменяя и не искажая архитектурный вид здания. Детали конструкции ворот в этом случае хорошо защищены от осадков.

Притолочный способ монтажа можно отнести к декоративному оформлению гаража или ворот, потому что при данном способе создается новая притолока, размещаемая на 40 см ниже основной.

Полезные советы

Полезность выбора способа установки короба определяет рисунок фасада дома или сооружения. Накладной наружный монтаж предпочтителен для домов, оборудованных рольставнями с наружным крепление коробов. Накладная роллетная система будет в теме. Защитные роллеты встраиваемые в стену это оптимальный вариант, правда, для монтажа направляющих потребуется создание дополнительных стеновых ниш.

Установка накладных роллетных ворот своими руками

Расскажем и покажем поэтапный собственноручный монтаж и установку роллетных ворот гаражных ворот на примере системы Hormann RollMatic, состоящей из короба с валом, двух направляющих, электропривода и дистанционного пульта управления.

Этапы установки

Подготовительные работы

Снимаем старые воротные гаражные двери.

Производим установку профильных труб для последующего крепления направляющих системы.

Распаковываем и подготавливаем роллетное полотно и направляющие.

Вставляем направляющие в базы короба для примеривания размещения по месту.

Разметка ворот под короб с октогональным валом

Приставляем короб с валом к существующей рамке ворот и выставляем по уровню вертикальность и горизонтальность положения.

Делаем разметку для монтажа и крепежа направляющих.

Монтаж короба и направляющих

Сверлим сверлом меньшего диаметра отверстия в направляющих и стенке.

Рассверливаем направляющую большим сверлом.

В полученное отверстие устанавливаем и закручиваем саморезы и закрываем прессшайбой.

Закрепляем корпус короба по месту слева и справа.

Удаляем защитную пленку с направляющих.

В торцах короба просверливаем отверстие для вывода кабеля электропривода.

Подвешивание полотна

Распределяем дистанционные кольца держатели по длине вала короба.

Поднимаем и заводим роллетное полотно с нижней полосы на крюки держателя.

На верхний край полотна надеваем тяговые пружины и их также равномерно распределяем.

Края пружин тяговых фиксируем в посадочные отверстия на валу.

Проверяем работу электропривода роллетных ворот.

Подключение проводов электропривода и дистанционного пульта

Подключение проводов электропривода по маркировке и цвету, согласно схеме прилагаемой производителем.

Подключаем блок дистанционного управления через клеммные отверстия согласно инструкции.

Привязываем и кодируем данные блока дистанционного управления пульта в память.

Подтягиваем шестигранником регулировочные винты для установки конечное положение полотна.

Полезные советы, как произвести установку роллетных ворот своими руками, показаны в видео.

Схема откатных ворот. Устройство откатных ворот. Расчет откатных ворот. Размеры ворот. Откатные ворота

Схема откатных ворот.

В этой статье рассмотрим исключительно теорию откатных ворот, здесь мы постараемся изложить ответы на наиболее распространенные вопросы пользователей решивших сделать откатные ворота своими руками. Здесь Вы найдете теоретические выкладки, формулы, расчеты и практические советы по изготовлению откатных ворот. Также Вы можете прочитать статьи: схема откатных ворот, схема элетропроводки для откатных автоворот и фундамент для откатных ворот.

Итак, откатные консольные ворота состоят из проёмной части (полотна) и противовесной части (ее часто называют хвостовик, концевик, косынка, раскос, противовес итд). Длина противовесной части должна быть равна 33-50% от ширины проёма в свету. Оптимальным значением для большинства ворот считается 40% при этом значении получается отимальный расход материала и места. Имеются источники в интернете утверждающие, что противовесную часть нужно делать 50 и 60% — однако это излишне, можете делать конечно хуже не будет , но для бытовых ворот достаточно будет и 40%. Размеры противовеса 50% актуальны для больших, промышленных ворот с шириной проёма 8 и более метров, кроме того при проёмах более 5,5-6,0 м противовес имеет смысл делать прямоугольным с двумя диагоналями. См. рис.

Если у вас есть ограничения по месту для отката ворот воспользуйтесь тем знанием, что минимальная длина противовесной части равна 33% от проёма, если и при этом Вашим воротам не хватает места для отката, то нужно признать, что откатные ворота установить нельзя, тогда есть смысл подумать о воротах другого типа, например распашных. Или как вариант установить откатные ворота снаружи (на улице) см. Рис:

Слишком малая противовесная часть (менее 33%) приведет к тому, что ворота будут «падать» и в открытом состоянии коснутся земли и даже выроют изрядную канаву.

При недостаточной длине противовесной части Вы получите такую картину в открытом состоянии, утрированно для наглядности: Утяжелять противовес различными грузами, свинцом итд нецелесообразно.

Еще одна встречающаяся ошибка — при нормальной длине противовесной части расстояние между картеками мало, что приводит повышенной нагрузке на ролики и полки направляющей консоли и как следствие к тугому ходу ворот и даже к разгибанию полок направляющей, или как говорят в просторечье «раздуло балку». Опорные каретки должны использовать по максимуму всю длину противовеса.

Давайте рассмотрим классический пример — Вам предстоит сделать откатные ворота своими руками с шириной проёма 4м, высотой 2м и зашитые профнастилом.

Выбираем комплект фурнитуры на 400-500 кг с металлическими роликами, длина направляющей 6м, высота 60мм, ширина 70 мм. На рис. приведены размеры частей откатных ворот в общем случае, где L — ширина проёма в свету.

Для 4-х метровых ворот проёмная часть согласно формуле равна 4200мм (ворота должны перекрывать проём в каждую сторону на 100-200 мм), на противовес остается 1800мм. Проверяем: 4*0,4=1,6м, а у нас получилось 1,8м значит консольная часть у нас получилась 45% — это значение удовлетворяет техническим условиям.

Идем дальше. Часто задаваемый вопрос и вызывающий наибольшие затруднения — » У меня проём 4.5-5 м и зашивка профнастилом». Считаем общую длину ворот 4,5*1,4=6,3 (5*1,4=7). В обоих случаях получаем более 6м. Все решается очень просто — приобретается комлект с 7-ми метровой направляющей или стандартный комлект с 6-ти метровой направляющей плюс дополнительный 1.м.п. направляющей, эти куски потом свариваются снаружи (внутри варить не нужно), шов после зачищается болгаркой. Далее все рассчитываем аналогично примеру выше.

Пример доваривания направляющей:

Следующий распространенный вопрос — как рассчитать высоту ворот? Высота ворот состоит из следующих слагаемых. Рассмотрим на примере ворот с направляющей типоразмера 70х60.

Дорожный просвет — 75 мм.

Высота направляющей — 60мм.

Высота трубы внешенего каркаса — 30мм

Высота трубы внутреннего каркаса — 40мм

Из рисунка приведенного ниже (ворота в разрезе) можно рассчитать высоту полотна ворот, и высоту листов профнастила (бляхи).

Остались вопросы? Звоните, и наши менеджеры с удовольствием проконсультируют Вас по всем вопросам! Звоните или закажите консультацию.

Проконсультироваться

Желаем успехов!

Описание устройства и конструкции рулонных ворот

Роллетные ворота — современное и высокоэффективное изделие, которое придется по душе владельцам частных гаражей. Мы расскажем о плюсах системы, опишем конструкцию рулонных ворот и объясним, как происходит монтаж.

Преимущества системы

Рассмотрим положительные стороны системы, которых, надо сказать, немало:

Компактность. По сравнению с секционными и подъемно-поворотными, рольворота можно установить там, где нет возможности поставить направляющие или просто отсутствует место для рельс.
Экономия полезной площади. В отличие от распашной системы, нет необходимости выделять место под открывание створок: конструкция открывается вертикально.
Тепло- и звукоизоляция. Благодаря пористому утеплителю внутри панелей эти показатели на высоком уровне.
Скорость. Система работает быстрее прочих гаражных конструкций.
Возможен дополнительный воздухообмен. Полотно возможно оснастить вентиляционным профилем.
Возможна дополнительная инсоляция. Полотно возможно оснастить смотровыми профилями из прозрачного для глаз поликарбоната.
Отсутствие парусности. От порывов ветра конструкцию защищает концевой захват.
Легкость эксплуатации. Если система открывается механически, то благодаря легкому алюминиевому профилю это делается без ощутимых физических усилий.
Высокая ремонтопригодность. Если одна из панелей повредится, конструкцию легко можно будет отремонтировать, сняв полотно и заменив испорченную панель.
Коррозионная стойкость, влагостойкость.
Высокая взломостойкость.
Бюджетность. Изделие стоит меньше, чем секционные системы.
Эстетичность. Богатая палитра оттенков, а также имитация под дерево поможет вам выбрать конструкцию, подходящую под экстерьер дома.

Основные конструктивные особенности

Система схожа с устройством рольставней. Представляет из себя воротное полотно, собранное из профилей роликовой прокатки. Профиль изготавливается из алюминиевой ленты и заполняется пенным утеплителем.

Далее профили соединяют между собой и устанавливают таким образом, чтобы они двигались по направляющим — вверх и вниз. Поднимаясь, полотно накручивается на вал и размещается в специальном коробе.

Приведем общее описание конструкции рулонных ворот:

Воротное полотно. Поступает заказчику уже собранное из алюминиевых профилей.
Короб. Поступает в собранном виде, с валом и электроприводом.
Две направляющие.
Автоматический или механический привод.
Ригельные или автоматические замки.
Рычаг, отвечающий за то, чтобы роторный двигатель можно было разблокировать, если будет отключено электричество. У автоматизированной модели.

Имеется и дополнительная комплектация:

Система дистанционного управления.
Противоугонная сигнализация.
Противопожарная сигнализация.
Система, обеспечивающая автоматический подогрев, чтобы в холодный период подъем полотна происходил без перебоев, несмотря на обледенение конструкции.
Фотоэлементы, которые будут реагировать на движение.
Уплотнители из силикона.

Установка рулонных ворот

Делать рулонные ворота должны профессионалы, используя инструкции по монтажу и чертежи.

Перед установкой заказчикам стоит определиться, какой вид монтажа будет применен. Всего их четыре. Чтобы было нагляднее, рассмотрим схему приведенную ниже.

Накладной монтаж наружный. Воротное полотно устанавливается снаружи, над проемом гаража. Короб, соответственно, также снаружи. Торцы проема закрыты полотном. Роллеты на одном уровне с фасадом.
Накладной монтаж внутренний. Короб устанавливается внутри помещения. Торцы проема при этом открыты.
Встроенный монтаж коробом наружу. Короб монтируют внутри проема. Соответственно, короб виден снаружи. Торцы проема при этом открыты.

Встроенный монтаж коробом внутрь. Короб монтируют внутри проема, но он при этом скрыт от глаз, если смотреть со стороны улицы. Роллеты на одном уровне с фасадом.

Выбрав способ монтажа, следуем определенной технологической схеме:

Оцениваем готовность проема. Он должен быть без отклонений по горизонтали и вертикали, без выступающих элементов.
Устраняем несовершенства проема, если таковые имеются, используя силикон или строительные смеси.
Собираем каркас рольворот (соединив направляющие с коробом) и примеряем получившуюся конструкцию на место монтажа. Делаем разметку и далее просверливаем отверстия в проеме и на лицевой поверхности направляющих.
Просверлив отверстия в элементах короба, снимаем с них защитную пленку и устанавливаем каркас на место монтажа, туго затянув элементы крепежа.
Снимаем крышку с короба и устанавливаем в него воротное полотно (оно должно быть скрученным в трубочку для удобства, поэтому понадобится два человека). Аккуратно навешиваем роллеты на вал и одновременно заводим полотно в пазы направляющей, доведя их таким образом до самого низа.
Тот конец полотна, который оказался вверху, крепим к валу.
Подключаем автоматику, если конструкция ее подразумевает.
После установки необходимо проверить работу рольворот. Для этого стоит три раза поднять и опустить роллеты (с помощью пульта, если ворота автоматические). Также с помощью пульта ДУ стоит остановить рольворота в различных положениях. Конструкция не должна заедать, движения должны быть плавными, а остановка быстрой.
Устанавливаем крышку на короб, если все работает хорошо.

Устройство автоматических ворот

Современная действительность вынуждает уделять вопросу безопасности дома пристальное внимание. Защитить жилище от непрошенных гостей, посторонних взглядов и шума призваны автоматические ворота компании «Алютех», надежность, удобство пользования и эстетичность которых подтверждена тысячами удовлетворенных покупателей.

В XXI веке ворота больше не громоздкая тяжелая конструкция, перекрывающая вход во внутренний двор или помещения здания, а полноценная часть системы «умный дом», оснащенная сложной автоматикой и надежно защищающая дом от несанкционированного проникновения. Компания «Алюмаркет» предлагает клиентам на выбор секционные, распашные или откатные автоматические ворота, одинаково удобные, но имеющие разные функции.

Секционные ворота

Секционные ворота — самый распространенный вид автоматических ворот, предназначенный для организации въезда в гараж или другое внутренне помещение здания. Такие гаражные ворота очень удобны, полотно их состоит из горизонтально расположенных секций. При открытии ворот полотно поднимается вверх и убирается под потолок. Основа долговечности и надежности секционных ворот — сэндвич-панель, изготавливаемая компанией «Алютех» по эксклюзивной технологии. Панель толщиной 45 мм снабжается полимерным уплотнителем и покрывается особым полимерным покрытием, что и определяет отличные характеристики конструкции: устойчивость к ветровым, ударным нагрузкам, к химическим воздействиям, перепадам температур и влажности. Главными достоинствами секционных ворот являются:
•   Надежность
•   Безопасность
•   Простота в эксплуатации
•   Повышенная устойчивость к взлому
•   Звуко- и теплоизоляция
•   Эстетичность

Распашные ворота

Распашные ворота — легко узнаваемая классика для организации въезда на огражденную территорию. Состоят такие ворота из двух щитов-воротин, которые крепятся петлями на боковые столы и отворяются вовнутрь проема или наружу. Полотно распашных ворот монтируется из экструдированных алюминиевых профилей с разнообразной конфигурацией. Благодаря экструдиции обеспечивается прочность и жесткость профилей, а полимерное покрытие защищает от негативных воздействий атмосферы. Единственной особенностью распашных ворот, которая может препятствовать их установке, является необходимость свободной и чистой площадки перед ними, чтобы створки открывались беспрепятственно.

Среди достоинств распашных ворот следует выделить:
•   Легкость управления
•   Возможность любых дизайнерских решений
•   Надежность
•   Долговечность
•   Простота обслуживания и ремонта

Откатные ворота

Откатные ворота — самые универсальные представители линейки компании «Алютех». Обычно откатные ворота используются для организации въезда на территорию, небольшую по размерам, или для организации широких проездов. Полотно ворот движется вдоль ограды вправо или влево благодаря уникальной системе консольных блоков, не касаясь земли, что гарантирует беспрепятственную работу даже в снегопад. Алюминиевые профили, покрытые полимерным покрытием и краской, надежно защищены от коррозии и воздействий окружающей среды. Другие достоинства откатных ворот:

•   Надежность
•   Минимальный уход, в том числе зимой
•   Экономия места
•   Возможность устройства проезда большой ширины
•   Приспособлены к любым климатическим условиям

Любые автоматические ворота компании «Алютех» могут быть дополнительно оснащены электроприводом с комплектом дистанционного управления, что сделает эксплуатацию ворот еще более удобной.

«Алюмаркет» является официальным дилером компании «Алютех» и предлагает полный спектр услуг по установке и обслуживанию автоматических ворот производителя. Для получения дополнительной информации, обратитесь к нашим консультантам

Оборудование для ворот

Понятие «оборудование для ворот» является довольно широким, потому как оно включает в себя несколько направлений. В первую очередь это, конечно, приводы для ворот, которые позволяют открывать ворота автоматически, используя пульт дистанционного управления, а с другой стороны, это может быть любое другое оборудование, которое устанавливается на ворота.

Имеются виду, домофоны (иногда видеодомофоны), звонки, устройства для открытия калитки и так далее.

Теперь обо всем более подробно. Изначально уделим внимание системе безопасности дома, а именно устройствам, которые ее обеспечивают. Оборудование для ворот:

Домофоны – это устройства, которые устанавливаются на ворота, с целью первичной коммуникации с людьми, которые желают пройти на территорию дома по тем или иным причинам. Подобное оборудование для ворот позволяет предварительно узнать, кто к вам пришел, еще до того момента, как вы откроете ворота или калитку. Таким образом, вы можете предотвратить попадание на территорию посторонних людей, с которыми вы не желаете общаться. Домофоны могут довольно качественно передавать звук от внешнего устройства до внутреннего, которое будет находиться непосредственно в доме.

Видеодомофоны – это устройства, которые по своей сути являются домофонами, с возможностью передавать не только звук, но и видеоизображение. Имея подобное оборудование для ворот у себя в доме, вы можете не только слышать обращение человека, который к вам пришел с определенными намерениями, но и видеть его. Здесь хозяева дома имеют явное преимущество, так как видеоизображение передается только в одну сторону (на устройство которое находится в доме), а это значит, что ваш гость сможет с вами разговаривать, но видеть вас не будет. Изображение передается с видеопанели, которая размещена на воротах или калитке, на видеодомофон, которые зачастую находится в доме у входа. Также иногда видеозапись может передаваться на монитор телевизора или компьютера, при желании клиента.

К разряду «Оборудование для ворот» можно также отнести автоматические замки, которые открываются при нажатии кнопки на пульте. То есть вы можете открыть калитку, находясь в доме и тем самым позволить войти человеку, который находится за воротами.

Что касается приводов для ворот, то им стоит уделить немного больше внимания, так именно благодаря данным устройствам ваш дом будет представлять собой автоматизированную систему, которая позволяет управлять многими элементами защиты на расстоянии. Какими бы не были автоматические ворота, откатными или распашными, они будут обязательно оборудованы специальными устройствами, которые и будут приводить в движение створки или полотна ворот при команде.

Для распашных ворот предусмотрены линейный, рычажный и скрытый приводы. В большинстве случаев для ворот используют именно линейный привод, так как он более функционален и компактен.

Рычажный привод часто применяют при установке калиток, а также в тех случаях, когда нельзя использовать линейный привод.

Ну а если по каким-либо соображениям клиент пожелает скрыть привод вовсе, то это вполне возможно сделать при помощи скрытых приводов, которые устанавливаются под землей

Если для распашных ворот требуется 2 привода (на 2 створки ворот), то для откатных потребуется всего один. Оборудование для ворот, а именно привод для откатного типа ворот крепиться параллельно полотну ворот на бетонном основании. Они могут отличаться в зависимости от веса защитного полотна и места применения.

Нельзя не упомянуть о приводах для гаражных ворот, так как они по своей сути немного отличаются от приводов, которые используются при ограничении въезда на определенную территорию. Оборудование для ворот гаража может отличаться в зависимости от вида используемых ворот. Это могут быть секционные, роллетные или поворотно-подъемные ворота.

Соответственно воротные приводы будут также отличаться, так как способы поднятия защитного полотна абсолютно разные. В роллетной системе, привод используется для накручивания полотна в защитный короб.

В случае с секционными и поворотно-подъемными воротами, привод поднимает полотна ворот и укладывает их под крышей гаража. Так как в этом случае полотна абсолютно разные, то и приводы соответственно будет отличаться.

В целом оборудование для ворот может включать в себя довольно разные устройства, которые служат для того чтоб значительно облегчить участие человека в разного рода деятельности. Автоматические устройства или попросту оборудование для ворот может иметь разное предназначение, и как показала практика, спрос со стороны покупателей на него постоянно увеличивается. Разное оборудование для ворот дарит вам множество возможностей, поэтому каждый покупатель сможет найти что-то полезное для себя и приобрести это у компании «БиКомс Холдинг» в любое время.

Устройство ворот для частного дома. Фото возможных вариантов

ПОДЕЛИТЕСЬ
В СОЦСЕТЯХ

Качественные, правильно подобранные ворота, не только вопрос безопасности жилья, но и внешнего вида частного дома. Они являются неотъемлемой частью участка и должны легко вписываться в общий дизайн, а также гармонировать с другими постройками. Современный рынок предлагает потребителю множество вариантов из различных материалов, с самыми современными системами управления и без них. В основном это надежные, долговечные, привлекательные по внешнему виду модели ворот для частного дома. Фото, демонстрирующие все положительные качества подобных конструкций, представлены ниже.

Ворота — своеобразная визитная карточка частного дома

Виды ворот для частного дома. Фото образцов

Ворота подразделяются на несколько видов в зависимости от материала изготовления и вариантов открытия/закрытия. Они бывают:

Деревянные въездные ворота

В последнее время самыми распространенными вариантами стали металлические конструкции. Для более дешевого обустройства можно использовать обычный профнастил, а для более богатого и роскошного – сочетание сплошного металла с элементами ковки. Однако и ворота из древесины тоже смотрятся довольно неплохо.

Примеры макетов для выбора дизайна ворот

Обустройство распашной въездной группы

Это наиболее распространенный тип ворот для частного дома. Их обустройство возможно при наличии свободного пространства, позволяющего без проблем раскрыть створки. Современные распахивающиеся конструкции представляют собой металлический каркас, который впоследствии облицовывается металлом, профнастилом, деревом или специальными сэндвич-панелями.

Современные металлические распашные ворота

Установка опорных столбов

Для опоры прекрасно подойдет профильная труба 100х100. Для их установки выкапываются скважины, в которые заполняют щебнем и песком, создавая, так называемую подушку. Опора, зафиксированная в такой яме распорками, заливается бетоном с добавлением крупного гравия.

Важно! Для сложных, глинистых грунтов подобное устройство столбов может быть недостаточным. В таких ситуациях между опорами приваривают дополнительную перемычку на глубине около 40 см.

Самый распространенный вид — распашные деревянные ворота

Сборка каркаса

Для рамы каркаса используют трубу 60х30. Для жесткой поперечины, которую приваривают внутрь готовой рамы, берется металлический профиль меньшим сечением, примерно 40х20. По краям каркаса привариваются петли, а также дужки для замка и засова. По завершении сборки сварные швы необходимо отшлифовать болгаркой, а затем нанести грунтовку и краску.

Кованые ворота для частного дома

Крепление профнастила

Если для обшивки используется профнастил, то лучше всего подойдут марки С8 или С10. Удобней всего для резки профильных листов использовать болгарку. На нее надеваются специальные диски без абразивного напыления. Крепление, вырезанного по размеру, профнастила производится заклепками с помощью клепательного инструмента, также допускается крепление саморезами.

Важно! Укладка профнастила должна осуществляться внахлест, захватывая 1 волну соседнего элемента.

Схема обустройства ворот из профнастила

Обустройство раздвижных ворот

Не во всех ситуация возможна установка распашных входных групп. Когда для открытия створок совсем мало места, используют раздвижной тип конструкции. В основном раздвижные системы состоят из одной створки, которая изготавливается по такому же принципу, как обычные распашные ворота для частного дома. Фото таких образцов демонстрируют удобство их эксплуатации.

Раздвижные ворота

Для того чтобы конструкция могла двигаться обустраивают специальные рельсы, а в нижней части створки приваривают ролики. Также необходимо к верхней части приварить направляющую, которая предназначена для фиксации створки в определенном положении.

Схема обустройства раздвижных ворот для частного дома

Эксплуатация рельсовых ворот затрудняется в зимний период, поскольку движущие части могут забиваться снегом или льдом. Во время снегопадов требуется тщательная очистка этих элементов, а также территории вокруг. Также вдоль створки ворот можно проложить греющий кабель, который растопит снег, ограничивающий движение.

Видео откатных ворот

Автоматизация ворот для частного дома. Фото вариантов обустройства

Вручную открывать и закрывать створки не всем нравится. Для этого приходится выходить из машины, затем опять садиться, на это тратится несколько минут драгоценного времени. Гораздо удобнее нажать кнопочку и «ларчик» сам откроется.

Схема работы автоматического открывания и закрывания ворот

Автоматизировать можно распашные и раздвижные ворота. Для этого специалистами были разработаны специальные линейные и рычажные электроприводы, позволяющие створкам открываться самостоятельно. Другие системы состоят из электродвигателя, зубчатой рейки, через которую шестерни передают усилие на воротные створки.

Сам привод монтируется на направляющие. На зубчатую рейку устанавливаются концевые выключатели, а на столбы – фотоэлементы. Удобный пульт позволяет легко и быстро открыть ворота прямо из машины, не прилагая физических усилий.

Статья по теме:

Забор из профнастила своими руками со столбиками: методика, секреты сборки. Свойства, типы, применение металлопрофиля. Материалы и инструменты. Варианты опорных столбов ограждения.

Фото ворот (видео)

ОЦЕНИТЕ
МАТЕРИАЛ

Загрузка…

ПОДЕЛИТЕСЬ
В СОЦСЕТЯХ

СМОТРИТЕ ТАКЖЕ

REMOO В ВАШЕЙ ПОЧТЕ

Устройство защиты ворот (передвижной шлагбаум)

Введение

Зачем использовать калитку? Согласно стандартам OSHA и ANSI, «операторы должны быть защищены от непреднамеренного попадания рук или любых других частей тела в рабочую точку во время закрытия штампа во время хода пресса». В устройстве с подвижной заслонкой используется проверенный метод установки физического барьера между оператором и опасностью в месте работы во время закрытия штампа во время хода пресса.

К другим преимуществам воротных устройств можно отнести следующие:

Операторы физически не прикреплены к машине с помощью браслетов, как при использовании отводного или удерживающего устройства. Это означает, что сопротивление оператора сводится к минимуму благодаря неограничивающей конструкции, обеспечивающей большую свободу движений.
Эти устройства защищают других сотрудников в машинной зоне.
Для приведения в действие пресса можно использовать ножной переключатель. Это сводит к минимуму нагрузку на руки и руки, которая может быть вызвана кнопками ладони.

Доступны два типа ворот. Первый — это ворота типа А. Он защищает оператора в течение всего цикла машины. Это означает, что заслонка не откроется до тех пор, пока цикл машины не будет завершен и остановлен (обычно в верхнем положении). Затворы типа А — единственные затворы, которые следует использовать на прессах с полным оборотом муфты.

Второй — ворота типа B. Он защищает оператора только при движении вниз. Ворота могут открываться после того, как опасная часть цикла прошла.Затворы типов A и B могут использоваться в машинах с частичным оборотом муфты, гидравлических прессах и других циклических машинах, где материал подается вручную.

Последовательность работы ворот типа A

Когда приводятся в действие средства управления (кнопки на ладони или ножной переключатель), давление воздуха сбрасывается из нижней части цилиндра управления заслонкой. Это позволяет воротам опускаться под действием силы тяжести. Когда ворота полностью опущены, бесконтактный переключатель опускания ворот определяет это, и машине разрешается выполнить цикл.Если ворота не могут завершить свое движение вниз, этот бесконтактный переключатель опускания ворот не обнаружит ворота и предотвратит цикл машины.

Если исполнительное средство отпускается до того, как машина начинает свой цикл, шибер возвращается в полностью открытое положение с шибером типа А. Когда машина фактически выполняет цикл, давление воздуха прикладывается к верхней части цилиндра управления заслонкой, который удерживает заслонку в нижнем положении и предотвращает ее подъем до тех пор, пока машина не завершит свой цикл.Если машина выходит из строя и не останавливается в конце нормального цикла, ворота остаются в закрытом положении.

Согласно ANSI, ворота должны открываться после каждого цикла для сброса антиповторной системы. Если этого не произойдет, машина не сделает следующего хода. Для этого для управления воротами требуется сигнал от машины в открытом положении. Этот сигнал обычно поступает от фотодатчика или концевого выключателя, управляемого кулачком. Срабатывание концевого выключателя осуществляется вращением коленчатого вала или любого другого элемента машины, который совершает один цикл или колеблется вдоль одной оси каждый ход.

Когда для машины с полным оборотом муфты устанавливается блок затвора типа А, сигнал верхней мертвой точки обеспечивается узлом концевого выключателя.

Последовательность работы шлюза типа B

Вентиль типа B работает так же, как вентиль типа A. Когда приводятся в действие средства управления (кнопки на ладони или ножной переключатель), давление воздуха сбрасывается из нижней части цилиндра управления заслонкой. Это позволяет воротам опускаться под действием силы тяжести. Когда ворота полностью опущены, бесконтактный переключатель опускания ворот определяет это, и машине разрешается начать цикл.Если ворота не могут завершить свое движение вниз, этот бесконтактный переключатель опускания ворот не обнаружит ворота и предотвратит цикл машины.

Если исполнительное средство отпускается до того, как машина начинает свой цикл, заслонка возвращается в полностью открытое положение. Когда машина фактически выполняет цикл, давление воздуха прикладывается к верхней части цилиндра управления заслонкой, который удерживает заслонку в нижнем положении и предотвращает ее подъем до тех пор, пока опасная часть цикла не пройдет.

Ворота должны открываться каждый цикл для сброса антиповторной системы.Последовательность для этого такая же, как и для ворот A, описанных на предыдущей странице.

Требования OSHA и ANSI к силовым прессам

Требования OSHA к воротам или передвижным шлагбаумам изложены в 29 CFR 1910.217 (c) (3) (i) следующим образом:
(c) (3) (i) Рабочие устройства должны защищать оператора посредством:
(f) закрытие рабочей точки до начала хода пресса и поддержание этого закрытого состояния до тех пор, пока движение ползуна не прекратится; или
(g) Заключение рабочей точки перед тем, как может быть инициирован ход пресса, чтобы предотвратить попадание оператора в рабочую точку до закрытия штампа или до прекращения движения ползуна во время хода вниз.
(c) (3) (ii) Ворота или передвижное заградительное устройство должны защищать оператора следующим образом:
(a) Ворота или передвижное заградительное устройство типа A должны защищать оператора способом, указанным в параграфе (c) (3). ) (i) (f) (выше) данного раздела и
(b) Ворота типа B или передвижное заградительное устройство должны защищать оператора способом, указанным в параграфе (c) (3) (i) (g) ( выше) этого раздела.

Примечание: OSHA заявляет, что ворота должны закрывать точку операции. Изображенные ворота представлены только в виде единой панели, обеспечивающей доступ к месту работы.Другой защитный материал необходим для защиты боковых сторон и задней части точки работы. Заполните соответствующую форму измерения (стр. 47, 49 или 50), если они должны поставляться с воротами.

Требования ANSI к воротам или передвижным шлагбаумам изложены в п. 8.6.6 ANSI B11.1.
8.6.6 Подвижное барьерное устройство
1) Подвижное барьерное устройство, если оно используется, должно охватывать рабочую точку до начала цикла прессования (хода).
2) Устройство должно препятствовать тому, чтобы человек дотянулся до опасностей, связанных с местом работы, за счет того, что он мог дотянуться до него, под ним, вокруг или сквозь него, когда он находится в закрытом положении.
3) В сочетании с управлением прессом устройство должно приводить в действие муфту и запускать цикл прессования (ход).
4) Шлагбаум должен иметь возможность возвращаться в открытое положение, если он столкнется с препятствием до закрытия рабочей точки.
5) Устройство должно требовать открытия барьера для сброса антиповторной системы производственной системы пресса каждый раз, когда пресс останавливается, прежде чем может быть запущен следующий цикл (ход).
6) Устройство должно соответствовать 6.11 и 8.8.
7) Устройство должно обеспечивать обзор рабочего места, когда это необходимо для безопасной работы производственной системы пресса.
8) Устройство само по себе не должно создавать опасности для оператора или других лиц.
8.6.6.1 Подвижное барьерное устройство типа A
1) Подвижное барьерное устройство типа A, когда оно используется, должно защищать людей, как указано в 8.6.1 (e).
2) Подвижное преграждающее устройство типа А при нормальной работе в одном цикле должно быть спроектировано так, чтобы удерживать его в закрытом положении до тех пор, пока ползун не завершит свой цикл (ход) и не остановится в верхней части цикла (хода).
8.6.6.2 Передвижное заградительное устройство типа B
1) Передвижное заградительное устройство типа B должно защищать людей, как указано в 8.6.1 (f).
2) Устройство не должно использоваться на прессах с полным оборотом муфты.
3) Устройство должно, в нормальном, одноходовом режиме, быть спроектировано так, чтобы удерживать его в закрытом положении во время закрывающей части цикла (хода) или до прекращения скользящего движения во время закрывающей части цикла (хода). .
4) Когда защита оператора зависит от останавливающего действия пресса, требуется монитор эффективности остановки в соответствии с 6.12.

ВОРОТА В СБОРЕ

Базовый узел ворот (без боковых или задних защитных ограждений)

Строительство ворот

Каркас панелей этих ворот изготовлен из экструдированного алюминия 1 ″ x 2 ″, который скользит вверх и вниз на роликовых подшипниках в профиле рельсов. Панель ворот оснащена прозрачным поликарбонатом (толщиной 3⁄16 ″) или регулируемой нижней частью.

Стандартный узел ворот снабжен петлями, позволяющими открывать ворота. Винт с полукруглой головкой на стопорной пластине удерживает затвор на месте.Эта функция полезна при замене штампов или работе с штампами на станке.

Ворота в сборе могут быть оснащены боковыми ограждениями. При замене штампов заслонку и боковую панель можно открыть влево. На правом выступе расположена защелка ригеля. Когда установлены боковые ограждения, эта защелка освобождает ворота, чтобы их можно было полностью открыть.

Эти ворота легко монтируются на балке машины или на специальной пластине или кронштейне на передней части машины.

Перечисленные узлы затвора предназначены для различных машин, включая прессы с полным оборотом муфты. Боковые ограждения также необходимы при использовании ворот. Ворота изготавливаются по предоставленным размерам. Пожалуйста, заполните соответствующую форму измерения для полной сборки. (ссылки здесь для форм)

Компоненты узла ворот

Рама ворот в сборе
Панель ворот
Бесконтактный выключатель (только 24 В постоянного тока) или концевой выключатель
Пневматический цилиндр (и)
Клапаны быстрого сброса
Клапаны регулирования расхода воздуха
Электромагнитный воздушный клапан в сборе
Манометр регулятора воздуха 1⁄8 ″ и монтажный кронштейн
Экструзия, петля в сборе и монтажное оборудование

Информация о ценах / заказе

Для заказа или определения цены на сборку ворот требуется следующая информация. до :

1.Выберите высоту подъема ворот 12 ″ или 18 ″ (возможны другие высоты подъема)
2. Укажите внешние размеры ворот по высоте и ширине

ИЛИ

Укажите размеры ворот внутренние размеры проема по высоте и ширине

Заполняемые формы для измерений затворного устройства

Загрузите и отправьте по электронной почте заполненную форму измерения на основе вашего приложения по адресу [email protected]:

Для прессов с полным оборотом муфты, прессов с частичным оборотом муфты или гидравлических прессов с затвором, позвоните в наш отдел продаж по телефону 1-800-922-7533 или свяжитесь с нами.

Защитные кромки и сенсорные устройства, сенсорная кромка, переключатель педали, коврик, датчики, пневматическая кромка, детектор движения

Защитные кромки — это «контактные» устройства , которые срабатывают при прикосновении с помощью чувствительных к давлению датчиков. Если встречается препятствие, устройство подает сигнал открывателю ворот, чтобы он остановился и / или начал обратную операцию. Эти устройства продаются пешком в версиях 4 ‘, 5’ и 6 ‘, которые обычно есть в наличии.Кромки безопасности могут быть размещены на неподвижных поверхностях, таких как столбы, или могут быть установлены на краю ворот, в зависимости от ваших потребностей. Кромка безопасности совмещена с беспроводным передатчиком и приемником кромки, настроенным для отправки сигнала оператору ворот. Контролируемые защитные кромки одобрены для использования в качестве защитных устройств в соответствии с требованиями UL325-2018. У нас есть следующие бренды: Miller Edge, Linear, MMTC, Liftmaster, FAAC, DoorKing и SEA. Если у вас есть конкретные вопросы о том, какое ребро подойдет вам, позвоните нам по телефону (888) 818-4283 .

Подробнее

GD # MLE-mgr20-связка
Доступен в 2-проводном исполнении / без контроля и
4-проводные / контролируемые конфигурации
Выберите расположение розеток слева, справа или универсального

• Разработан для 2-дюймовой круглой стойки

• Максимальная длина 10 футов

• Предлагает 3-стороннюю активацию

• Невозможно согнуть или сложить

• Цена за фут

• Минимальный заказ 4 фута
Увидеть больше деталей
GD # MLE-me120-связка
Доступен в 2-проводном исполнении / без контроля и
4-проводные / контролируемые конфигурации
Выберите расположение выпускных отверстий слева, справа или на конце

• Для дверей и ворот толщиной до 1-1 / 2 дюйма

• Использование в помещении или на открытом воздухе

• Выпускается в желтом или черном цвете.

• Цена за фут

• Запрос на конфигурации с воздушной волной, пневматикой и манекеном

• Минимальный заказ 4 фута
Увидеть больше деталей
GD # MLE-mgs20-связка
Доступен в 2-проводном исполнении / без контроля и
4-проводные / контролируемые конфигурации
Выберите расположение розеток слева, справа или универсального

• Разработан для установки на квадратную стойку 2 дюйма

• Максимальная длина 10 футов

• Предлагает 3-стороннюю активацию

• Невозможно согнуть или сложить

• Цена за фут

• Минимальный заказ 4 фута
Увидеть больше деталей
GD # LIN-safety-edge-bundle
Выберите круглую или квадратную крышку
Круглая крышка доступна длиной 4 или 5 футов

Время выполнения 1 неделя
Увидеть больше деталей
Из:
305 долларов.00
К:
692,00 долл. США
GD # MLE-mg020-связка
Доступен в 2-проводном исполнении / без контроля и
4-проводные / контролируемые конфигурации
Выберите расположение розеток слева, справа или универсального

• Максимальная длина 10 футов

• Для дверей и ворот толщиной до 1-1 / 2 дюйма

• Цена за фут

• Минимальный заказ 4 фута
Увидеть больше деталей
GD # LIN-mg020-Safety-Edge-связка
Выберите 4, 5 или 6 футов

• MG020 Защитная кромка электрических ворот

Время выполнения 1 неделя
Увидеть больше деталей
Из:
305 долларов.00
К:
427,00 долл. США
GD # MLE-mc22-связка
Доступен в 2-проводном исполнении / без контроля и
4-проводные / контролируемые конфигурации
Выберите расположение выхода слева или справа
Выберите однотонную или полосатую обложку

• Для рулонных дверей или решеток

• Изготовлено по индивидуальному заказу с учетом длины, стороны провода и чувствительности

• Цена за фут

• Минимальный заказ 4 фута
Увидеть больше деталей
GD # MLE-me110-связка
Доступен в 2-проводном исполнении / без контроля и
4-проводные / контролируемые конфигурации
Выберите расположение выпускных отверстий слева, справа или на конце

• Защита от защемления для легких решеток и жалюзи

• Черный

• Цена за фут

• Запрос на конфигурации Air-wave и Dummy

• Минимальный заказ 4 фута
Увидеть больше деталей
GD # MLE-mu22-связка
Доступен в 2-проводном исполнении / без контроля и
4-проводные / контролируемые конфигурации
Выберите расположение розеток слева, справа, в конце или универсальном
Выберите твердую, полосатую или химически стойкую крышку

• Изготовлено на заказ по вашей длине, ширине, высоте и чувствительности

• Абсолютно гибкая и образует контур на изогнутых поверхностях

• Цена за фут

• Минимальный заказ 4 фута
Увидеть больше деталей
GD # MLE-mt21-связка
Доступен в 2-проводном исполнении / без контроля и
4-проводные / контролируемые конфигурации
Выберите расположение розеток слева, справа, в конце или универсальном
Выберите твердую, полосатую или химически стойкую крышку

• 2 дюйма (ширина) x 1 дюйм (высота)

• Низкопрофильный и огнестойкий

• Изготовлено на заказ по вашей длине, ширине, высоте и чувствительности

• Абсолютно гибкие и контурные изогнутые поверхности

• Цена за фут

• Запрос на конфигурации с воздушной волной, пневматикой и фиктивной конфигурацией

• Минимальный заказ 4 фута
Увидеть больше деталей
GD # MLE-me123-связка
Доступен в 2-проводном исполнении / без контроля и
4-проводные / контролируемые конфигурации
Выберите расположение розеток слева, справа или универсального

• Для дверей толщиной от 1-1 / 2 до 2 дюймов

• Цена за фут

• Запрос на конфигурации с воздушной волной, пневматикой и фиктивной конфигурацией

• Минимальный заказ 4 фута
Увидеть больше деталей
GD # MLE-me116-связка
Доступен в 2-проводном исполнении / без контроля и
4-проводные / контролируемые конфигурации
Выберите расположение розеток слева, справа или универсального

• Предназначен для использования с секционным дверным желобом CHI.

• Подходит почти для всех дверей толщиной от 1-1 / 2 до 2 дюймов

• Черный

• Цена за фут

• Запрос на конфигурации с воздушной волной, пневматикой и фиктивной конфигурацией

• Минимальный заказ 4 фута
Увидеть больше деталей
GD # MLE-me111-связка
Доступен в 2-проводном исполнении / без контроля и
4-проводные / контролируемые конфигурации
Выберите расположение выпускных отверстий слева, справа или на конце

• Для кронштейнов шлагбаумов

• Черный

• Цена за фут

• Запрос на конфигурации Air-wave и Dummy

• Минимальный заказ 4 фута
Увидеть больше деталей
GD # MTC-ab-reversing-contactor-bundle
Из:
163 доллара.00
К:
$ 172,00
GD # LIN-2510-485-связка
Доступны длины 10, 12 или 14 футов

• ME 123 с модулем мониторинга

• Канал C

• Монтажное оборудование

• Две распределительные коробки

• Шнур катушки 15 футов

Время выполнения 1 неделя
Увидеть больше деталей
Из:
453 доллара.00
К:
$ 590,00
GD # LFM-Safety-Edge-связка
Выберите один из 3 стилей

• 2-проводный

• Сенсибилизированный с трех сторон

• Защитные кромки Miller Edge

• Время выполнения 1-3 недели
Увидеть больше деталей
Из:
255 долларов.00
К:
$ 492,00
GD # MLE-mt33-связка
Доступен в 2-проводном исполнении / без контроля и
4-проводные / контролируемые конфигурации
Выберите расположение розеток слева, справа, в конце или универсальном
Выберите твердую, полосатую или химически стойкую крышку

• 3 дюйма (ширина) x 3 дюйма (высота)

• Изготовлено на заказ по вашей длине, ширине, высоте и чувствительности

• Абсолютно гибкая и образует контур на изогнутых поверхностях

• Цена за фут

• Запрос на конфигурации с воздушной волной, пневматикой и фиктивной конфигурацией

• Минимальный заказ 4 фута
Увидеть больше деталей
GD # MLE-mt22-связка
Доступен в 2-проводном исполнении / без контроля и
4-проводные / контролируемые конфигурации
Выберите расположение розеток слева, справа, в конце или универсальном
Выберите твердую, полосатую или химически стойкую крышку

• 2 дюйма (ширина) x 2 дюйма (высота)

• Изготовлено на заказ по вашей длине, ширине, высоте и чувствительности

• Абсолютно гибкая и образует контур на изогнутых поверхностях

• Цена за фут

• Запрос на конфигурации с воздушной волной, пневматикой и фиктивной конфигурацией

• Минимальный заказ 4 фута
Увидеть больше деталей
GD № DKS-8080-091 MFR № 8080-091
• 6 ‘

• 4-проводные контактные кромки без оконечной нагрузки 10K

• Идеально подходит для заградительных рук

• Включает канал

• Miller Edge ME111

• Для всех продуктов требуется срок выполнения 3-5 дней
Увидеть больше деталей
GD № DKS-8080-090 MFR № 8080-090
• 5 ‘

• 4-проводные контактные кромки без оконечной нагрузки 10K

• Включает канал

• Miller Edge ME123

• Для всех продуктов требуется срок выполнения 3-5 дней
Увидеть больше деталей
GD № DKS-8080-085 MFR № 8080-085
• 5 ‘

• 4-проводные контактные кромки без оконечной нагрузки 10K

• Подходит для 2-дюймовой круглой стойки

• Miller Edge MGR20

• Для всех продуктов требуется срок выполнения 3-5 дней
Увидеть больше деталей
GD № DKS-8080-086 MFR № 8080-086
• 5 ‘

• 4-проводные контактные кромки без оконечной нагрузки 10K

• Подходит для 2-дюймовой квадратной стойки

• Miller Edge MGS20

• Для всех продуктов требуется срок выполнения 3-5 дней
Увидеть больше деталей
GD # MLE-rb-g-k10
• Включает передатчик (RB-TX10) и приемник (RB-G-RX10)

• Беспроводной мониторинг резистивной кромки 10k

• 2016 UL325 Соответствует

• 2-канальный приемник, совместимый с 6 передатчиками / фронтами

• Литиевые батареи AA, используемые в передатчике.

• 2 года гарантии производителя
Увидеть больше деталей
GD # MLE-rb-g-tx10 MFR # RB-G-TX10
• Беспроводное отслеживание резистивной границы 10k

• 2016 Соответствует UL325

• Литиевые батареи AA, используемые в передатчике.

• 2 года гарантии производителя
Увидеть больше деталей
GD # MLE-me110-2e-05-t2 MFR # ME110-2E-05-T2
• 5 ‘

• Под наблюдением

• 10 кОм резистивный

• 2-х проводный

• Включает монтажный канал
Увидеть больше деталей

Устройства управления воротами безопасности | Услуги безопасного доступа

Системы охранных ворот — отличный способ контролировать доступ к вашему объекту.Но как вы можете сбалансировать безопасность с необходимостью предоставить доступ тем, кто должен получить доступ к вашему объекту? Вот где может помочь прочное и надежное устройство управления. Современные системы ворот безопасности могут включать в себя различные устройства, которые делают процесс открытия и закрытия ворот безопасности довольно простым, при этом обеспечивая общую безопасность вашего объекта. Эти устройства управления позволяют пользователю управлять системой с помощью считывателей карт, кодов доступа, вводимых с клавиатуры, телефонных устройств, таймеров или радиоуправляемых передатчиков.Службы Secure Access Services работают с ведущими производителями устройств управления и могут помочь вам выбрать, установить и обслуживать лучшее устройство управления для вашего решения безопасности. Свяжитесь с нами сегодня, чтобы узнать, как мы можем помочь вам с этой жизненно важной частью вашей системы безопасности.

Типы доступных устройств управления воротами

Сегодня на рынке доступно множество устройств для управления воротами безопасности. Выбор правильного устройства контроля зависит от знания ваших личных предпочтений, того, как используются ваши ворота безопасности, и типа ворот безопасности, которые вы установили на своей собственности.

Картридеры и клавиатуры

Считыватели карт и клавиатуры могут быть автономными устройствами или дистанционно программироваться, если они подключены к контроллеру. Благодаря этой функции они могут хранить тысячи имен и транзакций. Эти системы также могут быть оснащены внутренней связью или телефоном. Secure Access Services устанавливает и обслуживает все основные бренды устройств чтения карт и клавиатуры.

Телефонные системы

Эти устройства включают в себя телефонный блок, который позволяет посетителю разговаривать по телефону с человеком, который может обеспечить вход в ваше учреждение.Коробку можно установить возле въездных ворот и расположить для пешеходов и проезжающих мимо проезжей части.

Таймеры

Ежедневный или еженедельный цифровой таймер используется для открытия или удержания открытых ворот. Они имеют два реле и до шести программируемых периодов времени и стандартно поставляются с резервным аккумулятором.

Передатчики

Передатчик — это радиоуправляемое устройство, которое открывает или закрывает ворота безопасности одним нажатием кнопки (например, устройство для открывания ворот гаража). Secure Access Services продает различные передающие устройства и даже может помочь вам заменить изношенный передатчик, который согласован с вашей существующей системой ворот.

Границы | Устройство положительной обратной связи с разделенными затворами и возможностью включения и выключения для нейронной схемы с высокой плотностью и малым энергопотреблением

Введение

Обычные вычислительные системы, основанные на архитектуре фон-Неймана, страдают от проблемы энергоэффективности по сравнению с биологическим мозгом при обработке сложных данных и информации (Cantley et al., 2011; Indiveri et al., 2011; Yu et al., 2011; Park и др., 2013). В качестве альтернативы традиционным вычислительным архитектурам изучались нейроморфные вычислительные архитектуры, позволяющие реализовать сложные процессы, такие как распознавание, классификация и восприятие образов (Wijekoon and Dudek, 2008; Ghosh-Dastidar and Adeli, 2009; Basu et al., 2013; Rajendran et al., 2013; Касабов, 2014; Eryilmaz et al., 2015). Среди этих архитектур широко известны глубокие нейронные сети (DNN), такие как сеть глубокого убеждения (DBN) и сверточная сеть (ConvNet), которые представляют собой вычислительные архитектуры, использующие модель математического алгоритма, для уменьшения вычислительной энергии путем имитации параллельной обработки. вычисление биологического мозга (Hinton et al., 2006; Turaga et al., 2010; LeCun et al., 2015; Крижевский и др., 2017; Liu et al., 2017). Однако программные DNN по-прежнему имеют проблемы с энергоэффективностью из-за энергии, потребляемой синхронной обработкой информации и перемещением данных между процессором и памятью, такой как статическая память с произвольным доступом (SRAM) и динамическая память с произвольным доступом (DRAM) (Chen et al. ., 2017). С другой стороны, наращивание нейронных сетей (SNN), основанное на управляемой событиями разреженной коммуникации и локальном обучении без использования внешней памяти, может снизить энергопотребление, и сообщалось о многих исследованиях (Kim et al., 2015; Moon et al., 2015; Qiao et al., 2015; Park, Lee, 2017). SNN более точно имитируют человеческий мозг, состоящий из синапсов и нейронов, и представляют собой очень компактную модель для построения крупномасштабной платформы нейроморфной системы. Функция модели нейрона «интегрировать и активировать (I&F)», которая является фундаментальной частью SNN, состоит в том, что нейрон срабатывает, когда интегрированные сигналы превышают определенный порог.Для реализации аппаратной функции I&F в SNN широко известны различные типы нейронных цепей, такие как нейрон LPF с лог-доменом, интегратор дифференциальной пары и полностью цифровая схема I&F (Indiveri et al., 2011). Однако нейронные цепи на основе комплементарных металлооксидных полупроводников (CMOS) для сложных нейронных функций требуют большого количества транзисторов и больших конденсаторов, включая мембранный конденсатор ( C _mem) в нейронной цепи, ведущей к большой площади. Поэтому для реализации SNN высокой плотности недавно были опубликованы нейронные устройства с возможностью интеграции, такие как селектор NPN на основе ударной ионизации (I-NPN) и устройство NPN с расширенным затвором (gated-INPN) на кремниевом элементе. -изолятор (SOI) платформа (Ostwal et al., 2015; Dutta et al., 2017), устройства с передачей спина (STT) на основе магнитного туннельного перехода (MTJ) (Sharad et al., 2012; Zhang et al., 2016) и мемристора (Wang et al., 2018) . Однако нейронная схема, основанная на устройствах SOI, использующих ударно-ионизацию, имеет КМОП-транзисторы с плавающим корпусом, и их производительность может ухудшаться из-за эффекта плавающего тела (Vandana, 2013). Стохастическая характеристика переключения устройства STT может вызвать нежелательные пожары в нейронах с интегрированными сигналами, которые не превышают пороговое значение, а большинство материалов, из которых состоит устройство, несовместимы с процессом CMOS.Мемристор совместим с процессом CMOS, но он имеет проблемы с надежностью при изготовлении в наномасштабе и построении в виде нескольких слоев массива (Pouyan et al., 2014).

Кроме того, для создания нейронной цепи малой мощности требуется устройство с крутыми характеристиками переключения. Характеристики переключения обычных полевых МОП-транзисторов ограничены теоретическим пределом подпорогового размаха ( SS ) 60 мВ / дек при комнатной температуре ( T = 300 K) (Cheung, 2010).Чтобы преодолеть ограничение переключения обычных полевых МОП-транзисторов, сообщалось о многих крутых устройствах SS , таких как МОП с ударной ионизацией (I-MOS), использующий лавинный пробой (Choi et al., 2005), межполосный туннельные полевые транзисторы (TFET) (Choi et al., 2007) и полевые транзисторы с обратной связью на основе PNPN (FB-FET) (Wan et al., 2013; Jeon et al., 2015; Dirani et al., 2017). Эти крутые устройства SS изготавливаются с использованием пластин SOI, поскольку они требуют плавающего тела для уменьшения утечки или накопления носителей.Однако производительность КМОП-транзисторов с плавающим корпусом, изготовленных на КНИ-пластине с крутым устройством SS , может быть снижена из-за эффекта плавающего тела и эффекта самонагрева (Su et al., 1994).

В этой статье мы впервые предлагаем устройство положительной обратной связи (PF) с плавающим телом с разделенным затвором на основе стробированной структуры PNPN для функции I&F и представляем ключевые этапы изготовления устройства PF, изготовленного с использованием процесса CMOS. . Для нейронной схемы I&F подключенные к телу полевые КМОП-транзисторы изготавливаются на той же подложке, что и устройство PF с плавающим корпусом.Изготовленные устройства исследуются с точки зрения основных свойств устройства и работы нейрона. С устройством PF мы также демонстрируем функции I&F, сброса и бокового торможения системы SNN с помощью симулятора схем и выполняем неконтролируемое обучение и распознавание образов в режиме онлайн с использованием симулятора MATLAB.

Материалы и методы

Изготовление и интеграция устройств

Устройство PF и несколько полевых КМОП транзисторов были изготовлены на одной (100) массивной кремниевой пластине с использованием 11 масок и единичных процессов технологии КМОП.На рисунке 1 показаны схематические виды в разрезе основных этапов процесса для устройства PF, полевого транзистора с плавающим корпусом с разделенным затвором и полевого транзистора с разделенным затвором, полевого транзистора с плавающим телом с одним затвором и полевого транзистора с одним затвором. Был нанесен тонкий временный диоксид кремния (SiO ₂) и сформирован узор. Тонкий нитрид кремния (Si ₃ N ₄) был нанесен для пассивирования расходуемого SiO ₂. Затем был нанесен толстый слой поли-Si и сформирован узор (рис. 1A), за которым следовало осаждение Si ₃ N ₄ и травление для формирования спейсера (рис. 1B).Поли-Si был удален, и прокладка SiO ₂ / Si ₃ N ₄, не защищенная Si ₃ N ₄, была протравлена (рис. 1C). Посредством этих этапов процесса были сформированы прокладки Si ₃ N ₄ с расходуемым SiO ₂ и без него для формирования разделенных затворов и одиночных затворов на одной и той же пластине. Ребра из кремния были сформированы путем сухого травления с использованием прокладки Si ₃ N ₄ в качестве жесткой маски (рис. 1D). После формирования стопки SiO ₂ / аморфный кремний (a-Si) (25 нм / 25 нм) (рис. 1E), только a-Si был сформирован для формирования масок боковых стенок с разной толщиной с использованием маски из фоторезиста (PR) ( Рисунок 1F).Затем пакеты SiO ₂ и SiO ₂ / a-Si были подвергнуты анизотропному травлению с последующим изотропным травлением экспонированного Si (Рисунки 1G, H). Обратите внимание, что только кремниевые ребра с более тонкими масками боковых стенок были плавающими, контролируя время травления газом SF6, что приводило к образованию плавающих ребер и массивных тел ребер на одной и той же подложке. Путем влажного травления весь SiO ₂ в буферном растворе фтористого водорода (BHF) были удалены боковые маски SiO ₂ и только спейсеры Si ₃ N ₄, сформированные на жертвенном SiO ₂, были удалены ( Рисунок 1I).Толстый слой SiO ₂ был нанесен методом плазменно-химического осаждения из паровой фазы (HDP-CVD) и частично подвергнут влажному травлению с образованием изоляционного оксида (рис. 1J, K). Для защиты от ионного повреждения имплантата был нанесен тонкий буферный слой SiO ₂ с последующей ионной имплантацией для контроля порогового напряжения под изоляционным оксидом, барьером для инжекции электронов (легирование p-типа, Np) и n- / p- хорошо допинг. После удаления буфера SiO ₂ для слоя улавливания заряда сформировалась стопка изоляторов затвора, туннелирующая SiO ₂ / Si ₃ N ₄ / блокирующая SiO ₂ (O / N / O), и Для формирования затвора был нанесен сильно легированный поликремний n-типа (n +) (поли-Si).При нанесении на пластину тонкого PR (смесь PR и растворителя 2: 1) PR на n + poly-Si, нанесенном на прокладки Si ₃ N ₄, был намного тоньше, чем на n + poly-Si. без прокладок Si ₃ N ₄ (Рисунок 1L). После частичного травления PR с тонким покрытием обнажился только n + poly-Si на спейсерах Si ₃ N ₄ (рис. 1M). Затем обнаженный n + поли-Si был частично протравлен, чтобы разделить n + поли-Si с обеих сторон спейсера Si ₃ N ₄ (рис. 1N).Затем был удален истонченный PR с последующим нанесением рисунка n + poly-Si для формирования ворот (рис. 10). Сплит-вентили и одностворчатые вентили были сформированы на одной пластине. Пакет O / N / O и спейсер Si ₃ N ₄ в неподключенной области были удалены. После того, как буфер SiO ₂ был выращен на Si-ребрах, была выполнена ионная имплантация для легирования истока / стока (S / D) или анода / катода и дырочного инжекционного барьера (легирование n-типа, Nn). После этого был проведен быстрый термический отжиг (RTA) при температуре 1050 ° C в течение 5 с.Затем был нанесен межслойный диэлектрик (ILD) и сформированы контактные отверстия. Была нанесена стопка никель (Ni) / нитрид титана (TiN), и силицирование было выполнено путем отжига при температуре 450 ° C в течение 1 мин для образования NiSi (Wu et al., 2007). После удаления непрореагировавших Ni и TiN в растворе пираньи (h3SO4 / h3O2) был нанесен TiN и нанесен узор для электрода с последующим отжигом h3 при 350 ° C в течение 10 мин.

РИСУНОК 1. (A – O) Схематические виды в разрезе основных этапов процесса изготовленного устройства положительной обратной связи (PF) или полевого транзистора с плавающим корпусом с разделенным затвором (крайний левый на каждом рисунке), разделенного полевой транзистор с большим затвором, полевой транзистор с плавающим телом с одним затвором и полевой транзистор с одним затвором (последовательно слева на каждом рисунке) на одной и той же подложке.

Электрические характеристики

Электрические характеристики изготовленного устройства PF и четырех различных типов устройств были выполнены с использованием станции датчиков (Cascade, Cascade Microtech), анализатора полупроводниковых устройств (B1500A, Agilent Technologies) и генератора сигналов и блока быстрых измерений (WGFMU) модуль. Смоделированные ВАХ и диаграммы энергетических зон были получены с помощью симулятора TCAD (Sentaurus, Synopsys).

Схема I&F и система с несколькими нейронами

Схема I&F с устройством PF моделировалась с использованием симулятора смешанного режима TCAD (Sentaurus, Synopsys).При моделировании в смешанном режиме устройство PF моделировалось имитатором устройства, а несколько полевых транзисторов CMOS моделировались имитатором схемы. Система с несколькими нейронами, включая нейронные схемы PF, которые имеют несколько полевых КМОП-транзисторов и эквивалентную схему, отражающую электрическое поведение изготовленного устройства PF, была смоделирована с помощью симулятора схем (HSPICE, Synopsys) с прогнозирующими технологическими моделями (PTM).

Классификация образцов

Классификация паттернов была оценена посредством моделирования с использованием программного обеспечения MATLAB.Полностью подключенная двухуровневая система SNN использовалась для проверки классификации паттернов на системном уровне. Система состоит из входного слоя из 784 пресинаптических нейронов и выходного слоя из 10 постсинаптических нейронов. Классификация паттернов проводилась в два этапа: обучение и распознавание. Перед процессом обучения веса всех синапсов были инициализированы случайным распределением. В процессе обучения на массив синапсов подавались синхронизированные двоичные входные импульсы 28 × 28.Поведенческое моделирование синаптических устройств и предложенное правило обучения пластичности, зависящей от времени спайков (STDP) (Kim et al., 2018), использовались для изучения синаптических весов. Функции I&F, сброса и бокового торможения использовались для систематической работы нескольких нейронов. В процессе распознавания использовались только функции I&F и сброса, а частота срабатывания 10 выходных нейронов сравнивалась, чтобы определить, какое число распознается.

Результаты и обсуждение

Ключевые особенности устройства PF

Устройство PF с крутыми характеристиками переключения с использованием PF требует канала с плавающим телом для накопления инжектированных электронов и дырок, чтобы снизить барьеры инжекции дырок и электронов, соответственно.Однако, когда нейронные схемы, включая устройства PF, интегрированы на одной подложке с полевыми транзисторами CMOS, эти полевые транзисторы имеют плавающее тело, что может ухудшить характеристики устройства. Следовательно, необходимо разработать новую технологическую схему, чтобы можно было реализовать плавающее тело и тело, соединенное с подложкой, на одной и той же пластине. Мы успешно изготовили на одной и той же пластине полевые транзисторы КМОП с плавающим корпусом (корпус с плавающими ребрами) и подключенные к корпусу (корпус с объемным плавником) полевые транзисторы (см. Раздел «Материалы и методы»).На рис. 2 показано изображение поперечного сечения, полученное с помощью сканирующей электронной микроскопии (СЭМ) тела с плавающим ребром и объемного ребра, изготовленных на одной и той же подложке, что соответствует двум структурам в пунктирной рамке, показанной на рис. 1J. I — V Характеристики КМОП полевых транзисторов с массивным ребристым корпусом и нескольких устройств, изготовленных на одной и той же пластине, показаны на дополнительном рисунке S1.

РИСУНОК 2. СЭМ-изображение поперечного сечения тел с плавающим плавником и объемного ребра, изготовленных на одной и той же подложке, что соответствует двум структурам в пунктирной рамке, показанной на рисунке 1J.

На фиг. 3B, C показаны схематические виды сверху и трехмерное изображение предлагаемого устройства PF, соответствующего части биологического нейрона, изображенного пунктирной рамкой на фиг. 3A. Устройство PF на основе закрытой структуры PNPN имеет анод, незащищенную область (тип n , барьер для инжекции дырок), закрытую область (тип p , барьер для инжекции электронов) и катодную область, последовательно слева, показанную на рисунке. 3С. Как анодная ( p ⁺), так и катодная ( n ⁺) концентрации легирования (или исток / сток p -MOSFET и n -MOSFET, соответственно) изготовленного устройства PF являются 2 × 10 ²⁰ см ^-3 для омического контакта между TiN и легированными областями.Концентрация легирования как дырочных, так и электронных барьеров для инжекции составляет ∼1 × 10 ¹⁸ см ^-3. На рисунке 3D показано поперечное сечение изображения, полученного с помощью просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ), изготовленного устройства PF, разрезанное по пунктирной линии A – A ‘на рисунке 3C. Устройство PF имеет конструкцию с плавающим корпусом с разделенным затвором. n ⁺ затвор 1 из поли-Si (G1) и затвор 2 (G2) расположены по обеим сторонам прокладки Si ₃ N ₄. Ширина корпуса с плавающим плавником ( W, , _{, плавник,}) и высота ( H, , _{, плавник,}) составляют 35 нм и 100 нм соответственно.Толщина стопки O / N / O между каналом и затвором для слоя ловушки заряда составляет 2 / 4,2 / 9 нм. Здесь высота перекрытия ( H _G) между затвором и ребром Si очень мала. Напряжение включения ( В, _на) устройства PF, при котором внезапно увеличивается анодный ток ( I _A), слабо зависит от H _G, показанного на рисунке 4. Обратите внимание, что H _G очень незначительно влияет на V _на при смещении G2 ( V _G2) ниже -1 В.Таким образом, мы приняли H _G 0 нм (почти плоский канал), чтобы продемонстрировать ключевую концепцию нашего устройства PF.

РИСУНОК 3. Схематическое изображение и виды в разрезе изготовленных устройств PF. (A) Трехмерная иллюстрация биологических нейронов. (B) Устройство PF, вид сверху. (C) Трехмерный схематический вид изготовленного устройства PF как нейронного устройства для имитации функции I&F биологических нейронов. (D) ПЭМ-изображение поперечного сечения изготовленного устройства PF, разрезанное по пунктирной линии A – A ‘в (C) . Здесь ширина и высота тела плавающего плавника составляют 35 и 100 нм соответственно.

РИСУНОК 4. Моделирование I _A — V _G1 Кривые устройства PF как параметры H _G и V _G2 при фиксированном V из 1 В. Здесь длина как дырочного барьера, так и барьера для инжекции электронов равна 0.5 мкм.

ВАХ предлагаемого устройства PF

На рисунке 5A показана кривая I _A в зависимости от смещения G1 ( V _G1) изготовленного устройства PF при напряжении V _G2 на 2 В и анодном смещении ( V _A ) от 1 В. Длина как электронного ( L _p), так и дырочного ( L _n) барьеров инжекции составляет 1 мкм. SS устройства PF меньше 0.04 мВ / дек (предел разрешения измерительной системы), показанный на вставке к рисунку 5A. Насколько нам известно, предлагаемое устройство PF имеет наименьший размер SS по сравнению с другими описанными крутыми устройствами SS (Таблица 1). Кроме того, V _на устройства PF может модулироваться V _G2 (Рисунок 5B). Резкое увеличение тока происходит из-за PF, запускаемого приложенным В _G1. Механизм крутого переключения можно пояснить диаграммой энергетических зон.На рисунке 5C показана смоделированная диаграмма энергетических зон устройства PF вдоль канала в выключенном состоянии ( В _G1 на -1 В) и во включенном состоянии ( В _G1 на 3 В). при В _G2 0 В и В _A 1 В. По мере увеличения В _G1 барьер инжекции электронов ( В _p) уменьшается (1) , и электроны инжектируются в область барьера инжекции дырок (2), что приводит к уменьшению барьера инжекции дырок ( V _n) (3).Затем дырки вводятся в область барьера для инжекции электронов (4), дополнительно уменьшая V _p (1), и электроны снова инжектируются в область барьера для инжекции дырок. Поскольку этот процесс повторяется с PF, устройство быстро переключается из состояния выключения в состояние включения. Однако по мере увеличения L _n или L _p рекомбинация неосновных носителей увеличивается, что приводит к увеличению V _на, уменьшению I _на и деградации характеристики резкого переключения (рис. 5D).

РИСУНОК 5. I — V характеристики предлагаемого устройства PF. (A) I _A — V _G1 Кривая изготовленного устройства PF при напряжении V _G2 2 V и V _A 1 V. что подпороговое колебание ( SS ) устройства меньше 0,04 мВ / дек. (B) I _A — V _G1 Кривые изготовленного устройства PF как параметр V _G2 (от –1 до 2 V) при фиксированном V _A из 1 В. (C) Смоделированная диаграмма энергетических диапазонов устройства PF вдоль направления канала в выключенном состоянии ( В _G1 из –1 В) и во включенном состоянии ( В _G1 из 3 В ) при В _G2 при 0 В и В _A из 1 В. (D) I _A — V _G1 кривые изготовленного устройства PF в качестве параметров длины барьера для инжекции дырок ( L _n) (слева) и длины барьера для инжекции электронов ( L _p) (справа), соответственно, при В _G2 при 0 В и В _А 1 В.По мере увеличения L _n и L _P, V _на увеличивается. (E) I _A — V _Кривые изготовленного устройства PF как параметр V _G1 (от 1 до –1,5 В) при фиксированном V _G2 0 В. Когда V _G1 <0 В, I _A увеличивается очень быстро, когда V _A достигает состояния включения. (F) Transient I _{Поведение} изготовленного устройства PF при подаче одиночного импульса на затвор 1 (открытый символ), когда V _A зафиксировано на 1,25 и 1,5 В. Все измерения были выполнены на то же устройство, за исключением устройств в (D) .

ТАБЛИЦА 1. Сравнение электрических характеристик крутых приборов SS .

На рисунке 5E показаны кривые I _A — V _A как параметр V _G1 при фиксированном напряжении V _G2 0 В.Когда V _G1> 0 V, I _A показывает свойства диода p — n , потому что V _p эффективно уменьшается из-за положительного смещения V _G1. Когда V _G1 <0 В, I _A показывает быстрое переключение из-за того, что коэффициент мощности запускается несущими, генерируемыми в обратносмещенном p — n переходе при увеличении V _A .Генерированные дырки и электроны накапливаются в областях барьера для инжекции электронов и дырок соответственно, что приводит к уменьшению V _p и V _n. Затем электроны и дырки инжектируются в области дырочного барьера и барьера для инжекции электронов соответственно, чтобы дополнительно уменьшить V _n и V _p. По мере повторения этого процесса I _A демонстрирует четкие характеристики переключения при сканировании вперед V _A.Гистерезис возникает, когда время сканирования в обратном направлении V _A короче, чем время жизни введенных неосновных носителей после того, как происходит резкое переключение в прямом сканировании V _A. Переходное поведение I _A, когда V _G1 переключается с 0 на 2 В и снова на 0 В при фиксированном В _G2 на -2 В показано на рисунке 5F. На рисунке хорошо видны характеристики включения и выключения.

Мы также демонстрируем, что предлагаемое устройство PF работает в узле 14 нм, показывая смоделированные кривые I _A — V _G1 (рис. 6). Здесь W _{плавник}, H _{плавник}, длина ( L _G) затворов (G1 ∼ G4) и концентрация легирования типа p в теле с плавающим плавником, за исключением размер анода и катода составляет 10, 40 и 14 нм и 2 × 10 ¹⁵ см ^-3 соответственно.Пакет затворов, образованный между затвором и каналом, состоит из SiO ₂ (2 нм) / Si ₃ N ₄ (4 нм) / SiO ₂ (6 нм). Когда В _G2 <-3 В, В _G3> 3 В и В _G4 из> 3 В, I _A показывает быстрое переключение как V _G1 увеличивается. Отметим, что барьеры для инжекции дырок и электронов (тип n и тип p ) формируются соответствующими смещениями ( V _G2 ∼ V _G4).

РИСУНОК 6. Моделирование I _A — V _G1 кривые масштабированного устройства PF. Здесь W _ребро = 10 нм и H _ребро = 40 нм. Длина ( L _G) затворов (G1 ∼ G4) составляет 14 нм. Концентрация легирования типа p в теле с плавающим ребром, за исключением анода и катода, составляет 2 × 10 ¹⁵ см ^-3. Отрицательный V _G2 образует барьер для инжекции электронов, а положительный V _G3 и V _G4 образуют барьер для инжекции дырок.

Функции I&F устройства PF

На рис. 7A сравниваются кривые I, — V, изготовленного однотактного полевого транзистора n и устройства PF со слоем улавливания заряда в начальном, программном (PGM) и стирающем (ERS) состояниях. Здесь W и L однотактного полевого транзистора n имеют размер 35 нм и 1 мкм соответственно. И L _n и L _p устройства PF имеют размер 1 мкм. Когда сдвиг в В, , _на ( В, , _-й,) устройства PF (одностворчатый массив n FET) между состояниями PGM и ERS равен 0.5 В, устройство PF имеет гораздо больший коэффициент I _{при соотношении}/ I _от, чем у однозатворного массивного полевого транзистора n , из-за сверхкрутого свойства SS . На рис. 7B показано изменение SS изготовленного блока n FET и PF с одним затвором при увеличении цикла PGM / ERS с 1 до 10 ⁵. SS устройства PF не изменяется, в то время как SS однократного блока n FET увеличивается с 95 до 160 мВ / дек.Более того, приемлемые характеристики удержания устройства PF в состояниях PGM / ERS показаны на рисунке 7B. Функция улавливания заряда предлагаемого устройства PF (12F ²) улучшает плотность интеграции за счет замены функции интегрирования мембранного конденсатора ( C _mem), который занимает большую площадь в обычных нейронных цепях (Chicca et al. ., 2014). C _mem 0,5 пФ имеет площадь основания 100 мкм ² (816F ²) для 0.35 мкм CMOS процесс (Ливи и Индивери, 2009).

РИСУНОК 7. Функция интегрирования и зажигания (I&F) изготовленного устройства PF с возможностью улавливания заряда. (A) I _D — V _G и I _A — V _G1 Кривые изготовленного блока с одним затвором n Устройство FET и PF в исходном , запрограммировать (PGM) и стереть (ERS) состояния. Когда сдвиг в В, , _на ( В, , _-й,) устройства PF (одностворчатый массив n FET) между состояниями PGM и ERS равен 0.5 В, соотношение I _на/ I _от коэффициента мощности устройства PF намного больше, чем у однозатворного блока n FET. (B) SS изменение изготовленного блока с одним вентилем n FET и PF-устройство с циклическим переключением PGM / ERS (слева) и характеристики удержания изготовленного PF-устройства при комнатной температуре (справа). (C) Формы сигналов входных импульсов с разными амплитудами и импульс сброса. (D) Схема устройства PF для работы I&F. (E) I _A — V _G2 Кривые изготовленного устройства PF как параметр номера импульса. (F) Повторяемость В _на и I _A с номером импульса в качестве параметра В _{импульса}. Когда большой | В _{импульсный} | применяется к G1, скорость интегрирования высокая, и скорость стрельбы также увеличивается. Все измерения проводились на одном устройстве.

Рисунок 7E демонстрирует функцию I&F нашего устройства PF, показывая кривые I _A в сравнении с V _G2 как параметр количества импульсов при фиксированном V _A 1 В. A импульсное смещение ( В, , _{, импульс}) -6,7 В применяется к G1 при смещении считывания ( В, , _{, чтение}), приложенном к G2, равным 1 В, как показано на рисунке 7D. Поскольку импульс _V повторно применяется к G1, захваченные электроны в слое улавливания заряда задерживаются в Si типа p (барьер для инжекции электронов).Затем, V _на устройства PF постепенно уменьшается. Когда количество импульсов В, , _, превышает 120, В, , _на становится меньше 1 В, что приводит к быстрому переключению устройства из выключенного состояния во включенное состояние. Таким образом, функция I&F проверяется в нашем устройстве PF. На рисунке 7F показана повторяемость В _на и I _A с количеством импульсов в качестве параметра В _{импульс} (см. Рисунок 7C) при В _читать из 1 В .Когда В _на меньше 1 В, срабатывает устройство PF. После срабатывания мы сбрасываем В, , _на устройства PF, применяя импульс сброса (см. Рисунок 7C) к G1 для сохранения электронов в слое улавливания заряда. Как | В _{импульсный} | увеличивается, интенсивность стрельбы увеличивается, потому что больше электронов отводится из слоя улавливателя заряда в Si типа p при большем | В _{импульсный} | .

Нейронная схема I&F на базе устройства PF

На рис. 8А показана принципиальная схема нейронной цепи (нейрон PF), которая включает в себя устройство PF.Здесь самоконтроллер подает 0 В на затвор полевого МОП-транзистора n (N1), когда нейрон срабатывает, и 1,5 В. Он также применяет импульс сброса к G1 устройства PF, когда нейрон срабатывает. Схема работы нейрона ПФ следующая. Когда сигналы повторно передаются из синапсов в G1 устройства PF, они интегрируются в слой ловушки заряда устройства PF, и V _на устройства PF постепенно уменьшается. В тот момент, когда V _на становится ниже V _читать, устройство PF быстро переключается из выключенного состояния во включенное состояние.Затем напряжение в узле X изменяется с высокого уровня на низкий уровень, что приводит к срабатыванию нейрона через инвертор. После срабатывания нейрона N1 выключается, и самоконтроллер прикладывает импульс сброса к устройству PF, чтобы вернуть устройство PF в исходное состояние. Моделируемые переходные процессы В, , _,, , , _,, , , сброс, , и поведение управляющего импульса N1 нейронной цепи показаны на рисунке 8B. Эти операции подтверждают, что нейрон PF эффективно имитирует функцию I&F биологического нейрона.

РИСУНОК 8. I&F нейронная схема на основе устройства PF. (A) Принципиальная схема нейронной цепи (нейрон PF) с использованием предлагаемого устройства PF. (B) Смоделированные переходные процессы В _в, В _{на выходе}, В _сброс и поведение управляющих импульсов N1. Здесь V _читать и V ₁ равны 1 и 0,5 В соответственно.

Мы выполняем моделирование для сравнения энергопотребления трех разных нейронных цепей, показанных на рисунках 9A – C.Это нейрон PF, схема I&F с использованием обычного полевого МОП-транзистора со слоем ловушки заряда (нейрон MOS) и обычная схема I&F с C _mem (обычный нейрон). В нейроне PF (или нейроне МОП), когда сигнал от синапсов передается на слой ловушки заряда, В, , _{включен, PF} (или В, , _{включен, MOS}) постепенно уменьшается. Пик генерируется, когда V _{включен, PF} (или V _{включен, MOS}) ниже, чем V _читает, что означает, что нейрон срабатывает.С другой стороны, в обычном нейроне сигнал синапсов интегрируется в память C _mem, что приводит к изменению мембранного потенциала ( V _mem). Если V _mem превышает определенный порог ( V _th) в обычном нейроне, генерируется спайк. На рисунке 9D показаны переходные токи перед срабатыванием, когда одинаковое количество входных импульсов подается на три разные нейронные цепи.Здесь, для точного сравнения, V _{включен, PF}, V _{включен, MOS} или V _mem изменяется на 8 мВ для каждого импульса от синапсов, и все нейроны настроены на генерацию всплеск при подаче 25 импульсов. Энергия, потребляемая на спайк в обычном нейроне и МОП-нейроне, составляет 25 пДж / спайк и 12,5 пДж / спайк, соответственно. Напротив, потребление энергии на спайк в нейроне PF составляет всего 0,25 пДж / спайк из-за сверхкрутого SS (0.04 мВ / дек) предлагаемого устройства PF. Для справки: SS устройств, запускающих генерацию спайков в обычном нейроне и МОП-нейроне, превышает 60 мВ / дек при комнатной температуре. Пунктирный кружок в каждом нейроне представляет триггерное устройство. Пусковым устройством в нейроне PF является устройство PF. Обратите внимание, что в обычном нейроне, если В _mem медленно увеличивается до В _-й или остается при напряжении немного ниже В _-й, потребление энергии значительно увеличивается, потому что подпороговый ток протекает через спусковое устройство.Следует отметить, что такая же ситуация наблюдается и в МОП-нейроне. Однако в предлагаемом устройстве PF подпороговый ток при более низком напряжении, чем В, , _{, PF}, пренебрежимо мал, что значительно снижает потребление энергии. Более того, нейрон PF имеет след примерно 52F ², за исключением самоконтроллера, тем самым уменьшая площадь нейрона примерно в 17 раз по сравнению с площадью обычного нейрона (∼866F ²) с большой ° C. _мем.

РИСУНОК 9. (A – C) Принципиальные схемы схемы I&F (нейрон PF) с использованием устройства PF со слоем ловушки заряда (A) , схема I&F (нейрон MOS) с использованием обычного полевого МОП-транзистора с слой ловушки заряда (B) , и обычная схема I&F (обычный нейрон) с мембранным конденсатором ( C _mem) (C) . (D) Переходные токи, которые протекают через триггерные устройства в трех разных нейронах, перед срабатыванием, когда одинаковое количество входных импульсов подается на три разные нейронные цепи.

Система с несколькими нейронами

На рис. 10А показана архитектура перекрестной панели с общим самоконтроллером на нейронном уровне. Здесь нейроны ПФ и синаптические устройства обозначены точками и квадратами соответственно. Как и в традиционной модели макета перекладины, входные и выходные нейроны связаны синаптическими устройствами с прямой связью. Синаптические устройства получают импульсный сигнал от входных нейронов, а выходной нейрон получает сигнал, соответствующий взвешенной сумме синаптических устройств.Многие нейроны в нейронном слое используют один общий самоконтроллер, как показано зеленым прямоугольником в верхнем центре рисунка 10А. На рисунке 10B показана подробная схематическая диаграмма системы с несколькими нейронами в нейронном слое, изображенная пунктирной линией на рисунке 10A. Когда импульсный сигнал от активированного нейрона PF передается в общий самоконтроллер, он генерирует импульсы сброса, бокового торможения и управляющие импульсы N1. Блоком управления переключателем импульсы сброса и бокового торможения отправляются на активированный нейрон и оставшиеся нейроны, за исключением запущенного нейрона в том же слое нейронов, соответственно.Импульс сброса возвращает устройство PF в активированном нейроне в его исходное состояние, а импульс бокового торможения в некоторой степени снижает возможность активирования оставшихся нейронов. Обратите внимание, что в нашей схеме используется импульс положительного запрета, и его величина должна быть меньше, чем у импульса сброса (см. Рисунки 10G – I). Кроме того, управляющий импульс N1 отправляется на устройства N1 всех нейронов PF, временно выключающие устройства N1 (рис. 8A). Обратите внимание, что при использовании только одного общего самоконтроллера в нейронном слое для выполнения различных функций количество транзисторов в каждом нейроне PF уменьшается, что приводит к высокой плотности интеграции нейронов.

РИСУНОК 10. Схематические диаграммы и переходное поведение системы с несколькими нейронами. (A) Архитектура перекладины с самоконтроллером в нейронном слое. (B) Принципиальная схема системы с несколькими нейронами. (C – E) Пример серии импульсов от синапсов. Эта последовательность импульсов подается на устройство PF каждого нейрона PF. Здесь положительные импульсы — это импульсы сброса или импульсы бокового торможения, генерируемые самоконтроллером. (F) Управляющий импульс N1, генерируемый самоконтроллером при срабатывании нейрона. (G – J) Сброс и боковые импульсы (G – I) , применяемые к каждому нейрону всякий раз, когда нейрон срабатывает (J) .

Переходное поведение нескольких нейронов в нейронном слое было проверено симулятором схемы следующим образом. Каждый раз, когда нейрон PF срабатывает (рис. 10J), управляющий импульс N1 применяется ко всем нейронам, чтобы выключить устройства N1, показанные на рис. 10F. Затем импульс сброса с амплитудой 10 В подается на активированный нейрон PF, а импульс бокового торможения с амплитудой 7 В применяется к нейронам PF, за исключением активированного нейрона, показанного на рисунках 10G – I.На рисунках 10C – E показаны примеры трех импульсных последовательностей от синапсов соответственно. Каждая последовательность импульсов подается на устройство PF каждого нейрона. Здесь положительные импульсы в каждой серии импульсов напряжения представляют собой импульсы сброса (10 В) или запрета (7 В), передаваемые самоконтроллером при срабатывании нейрона.

Демонстрация нейрона PF в нейронной сети

Чтобы проверить выполнимость нейрона PF на сетевом уровне, неконтролируемое обучение и распознавание в режиме онлайн были исследованы в SNN, основанном на нейроне PF.Была построена полностью связанная двухслойная система SNN, состоящая из входного слоя из 784 пресинаптических нейронов и выходного слоя из 10 постсинаптических нейронов. Классификация паттернов была выполнена с использованием симулятора MATLAB. Для моделирования были приняты характеристики синаптического устройства флеш-памяти NOR типа TFT из нашей предыдущей работы (Kim et al., 2018) из-за его высокой производительности в нейронной сети. На рисунке 11A показано трехмерное схематическое изображение массива синаптических устройств флэш-памяти NOR типа TFT.Входные сигналы от пресинаптических нейронов и импульс обратной связи от самоконтроллера в слое постсинаптических нейронов прикладываются к словарным линиям (WL) и источнику, соответственно, для выполнения долгосрочной потенциации (LTP) и длительной потенциации. термин депрессия (LTD) стиранием и программированием ячейки памяти. Импульсная схема, используемая для обновления синаптического веса, показана на рисунке 11B. Когда срабатывает постсинаптический нейрон, веса клеток синапса, к которым применяются входные сигналы, потенцируются, а веса других клеток без входных сигналов снижаются.Кривые STDP, полученные на основе измеренных характеристик LTP / LTD синаптического устройства с использованием импульсной схемы, показаны на рисунках 11C – E. На рисунке 11C показана форма кривой STDP при низком синаптическом весе. На рисунках 11D, E показаны формы кривой STDP, когда вес синапса средний и высокий, соответственно.

РИСУНОК 11. Схематический вид массива синапсов и результаты моделирования классификации паттернов на основе правила пластичности, зависящей от времени всплеска (STDP). (A) Трехмерное схематическое изображение массива синаптических устройств флэш-памяти NOR типа TFT. (B) Импульсная схема от нейронов PRE и POST для обновления веса синапсов в массиве синапсов. (C – E) Поведение STDP в зависимости от текущего веса в синаптическом устройстве, когда текущий вес низкий (случай 1) (C) , средний (случай 2) (D) и высокий (случай 3) ) (E) . (F) Эволюция синаптических весов в процессе обучения. (G) Результат распознавания образов нейронов после процесса обучения.

Моделирование классификации паттернов с использованием массива синапсов и нейронов PF объясняется следующим образом. Здесь десять двоичных входных шаблонов 28 × 28 с использованием рукописных шаблонов MNIST из цифр 0–9 используются как для обучения, так и для распознавания. Поскольку входные сигналы десяти цифр MNIST случайным образом применяются к 784 пресинаптическим нейронам, постсинаптический нейрон из 10 постсинаптических нейронов срабатывает взвешенной суммой синапсов, и веса синапсов в массиве синапсов, подключенном к активированному постсинаптическому нейрону, обновляются. по правилу обучения STDP.Чтобы предотвратить совместную специализацию постсинаптических нейронов, используется функция латерального торможения путем применения импульса латерального торможения ко всем постсинаптическим нейронам, за исключением активированного постсинаптического нейрона. Поскольку немаркированные двоичные входные шаблоны 28 × 28 многократно представлены в массив синапсов, каждый постсинаптический нейрон постепенно обучается определенному шаблону, показанному на рисунке 11F. После процесса обучения выполняется тест распознавания путем случайного представления шаблонов ввода, используемых в процессе обучения.Каждый постсинаптический нейрон срабатывает по-разному в ответ на каждый конкретный паттерн, показанный на рисунке 11G. Входные паттерны распознаются путем сравнения скорости активации постсинаптических нейронов между 10 постсинаптическими нейронами, что приводит к успешной классификации десяти изображений паттернов MNIST в режиме обучения без учителя. Эти результаты моделирования показывают, что нейронная сеть, основанная на нашем нейроне PF, успешно выполняет неконтролируемое онлайн-обучение и распознавание образов.

Заключение

Мы продемонстрировали I&F функцию биологических нейронов, используя предложенное устройство PF с плавающим корпусом, изготовленное на той же пластине с подключенными к телу полевыми КМОП транзисторами для высокоэффективной нейронной цепи. SS , полученный из изготовленного устройства PF, был отличным при 0,04 мВ / дек из-за PF при переключении, что привело к низкому потреблению энергии ~ 0,25 пДж на импульс нейронной цепи, использующей устройство PF. Энергопотребление примерно в 100 раз меньше, чем у обычной нейронной цепи. Площадь нейрона PF была уменьшена примерно в 17 раз по сравнению с площадью обычного нейрона за счет замены большого C _mem в обычном нейроне на слой ловушки заряда устройства PF, сохраняющий интегральную функцию биологических нейронов.Кроме того, многонейронная система высокой плотности с функциями сброса и бокового торможения была продемонстрирована посредством моделирования с использованием только одного общего самоконтроллера в нейронном слое. Мы успешно проверили неконтролируемое онлайн-обучение и распознавание образов в системе SNN с помощью наших устройств PF и синаптических устройств. Эти результаты показывают возможность аппаратной реализации энергоэффективных аналоговых вычислений высокой плотности с использованием нашего устройства PF.

Вклад авторов

KB, SW и JH разработали и разработали эксперименты.KB и SW построили устройства и провели измерения. KB, SW и WM выполнили схемотехническое моделирование. SOL, CH и SUL выполнили моделирование обучения и распознавания образов. KB, SW, WM, SOL, CH, JH, SUL и JH провели теоретический анализ. Рукопись написали KB, SW, WM, SOL, CH и JH. Все авторы обсудили результаты и прокомментировали рукопись.

Финансирование

Эта работа была поддержана Корейским национальным исследовательским фондом (NRF- 2016M3A7B44) и проектом Brain Korea 21 Plus в 2018 г.

Заявление о конфликте интересов

Авторы заявляют, что исследование проводилось при отсутствии каких-либо коммерческих или финансовых отношений, которые могут быть истолкованы как потенциальный конфликт интересов.

Рецензент NM и редактор отдела заявили о своей общей принадлежности.

Дополнительные материалы

Дополнительные материалы к этой статье можно найти в Интернете по адресу: https://www.frontiersin.org/articles/10.3389/fnins.2018.00704/full#supplementary-material

Список литературы

Абеле, Н., Фритчи, Р., Букарт, К., Кассет, Ф., Анси, П., и Ионеску, А. М. (2005). «МОП-транзистор с подвесным затвором: привнесение новых функциональных возможностей МЭМС в твердотельный МОП-транзистор», в техническом дайджесте — International Electron Devices Meeting , Вашингтон, округ Колумбия, 1–3. DOI: 10.1109 / IEDM.2005.1609384

CrossRef Полный текст | Google Scholar

Басу А., Шуо С., Чжоу Х., Лим, М. Х. и Хуанг, Г.-Б. (2013). Кремниевые нейроны для аппаратной реализации машин с экстремальным обучением. Нейрокомпьютеры 102, 125–134. DOI: 10.1016 / j.neucom.2012.01.042

CrossRef Полный текст | Google Scholar

Кэнтли, К. Д., Субраманиам, А., Стиглер, Х. Дж., Чепмен, Р. А., и Фогель, Э. М. (2011). Хеббовское обучение в нейронных сетях с помощью тонкопленочных транзисторов из нанокристаллического кремния и мемристических синапсов. IEEE Trans. Nanotechnol. 10, 1066–1073. DOI: 10.1109 / TNANO.2011.2105887

CrossRef Полный текст | Google Scholar

Chen, Y.-H., Кришна, Т., Эмер, Дж. С., и Сзе, В. (2017). Eyeriss: энергоэффективный реконфигурируемый ускоритель для глубоких сверточных нейронных сетей. IEEE J. Твердотельные схемы 52, 127–138. DOI: 10.1109 / JSSC.2016.2616357

CrossRef Полный текст | Google Scholar

Чунг, К. П. (2010). «О пределе 60 мВ / дек при 300 K для допорогового колебания MOSFET», в Международном симпозиуме по системным приложениям СБИС (VLSI-TSA) , Тайвань, 72–73. DOI: 10.1109 / VTSA.2010.5488941

CrossRef Полный текст | Google Scholar

Chicca, E., Stefanini, F., Bartolozzi, C., and Indiveri, G. (2014). Нейроморфные электронные схемы для построения автономных когнитивных систем. Proc. IEEE 102, 1367–1388. DOI: 10.1109 / JPROC.2014.2313954

CrossRef Полный текст | Google Scholar

Choi, W. Y., Park, B.-G., Lee, J. D., and Liu, T.-J. К. (2007). Туннельные полевые транзисторы (TFET) с подпороговым размахом (SS) менее 60 мВ / дек. IEEE Electron Device Lett. 28, 743–745. DOI: 10.1109 / LED.2007.

CrossRef Полный текст | Google Scholar

Чой, В. Ю., Сонг, Дж. Ю., Ли, Дж. Д., Парк, Ю. Дж., И Парк, Б.-Г. (2005). «70-нм устройства ударной ионизации металл-оксид-полупроводник (I-MOS), интегрированные с туннельными полевыми транзисторами (TFET)», в техническом дайджесте — International Electron Devices Meeting , Вашингтон, округ Колумбия, 1–4. DOI: 10.1109 / IEDM.2005.1609519

CrossRef Полный текст | Google Scholar

Дирани, Х.E., Fonteneau, P., Solaro, Y., Legrand, C.-A., Marin-Cudraz, D., Ferrari, P., et al. (2017). Устройства с обратным стробированием с резкой коммутацией и полосой модуляции в передовой технологии FDSOI. Solid State Electron. 128, 180–186. DOI: 10.1016 / j.sse.2016.10.008

CrossRef Полный текст | Google Scholar

Дирани, Х. Э., Соларо, Ю., Фонтено, П., Феррари, П., и Кристоловяну, С. (2016). Свойства и механизмы Z2-FET при переменной температуре. Solid State Electron. 115, 201–206.DOI: 10.1016 / j.sse.2015.08.015

CrossRef Полный текст | Google Scholar

Дутта, С., Кумар, В., Шукла, А., Мохапатра, Н. Р., и Гангули, У. (2017). Утечка интегрируется и запускает нейрон за счет динамики заряда-разряда в полевом МОП-транзисторе с плавающим телом. Sci. Отчет 7: 8257. DOI: 10.1038 / s41598-017-07418-y

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Eryilmaz, S. B., Kuzum, D., Yu, S., and Philip Wong, H.-S. (2015). «Соображения по проектированию на уровне устройств и систем для нейроморфных архитектур на основе аналоговой энергонезависимой памяти», в IEEE International Electron Devices Meeting , Сан-Франциско, Калифорния, 64–67.DOI: 10.1109 / IEDM.2015.7409622

CrossRef Полный текст | Google Scholar

Индивери Г., Линарес-Барранко Б., Гамильтон Т. Дж., Шайк А. В., Этьен-Каммингс Р., Дельбрук Т. и др. (2011). Нейроморфные кремниевые нейронные цепи. Фронт. Neurosci. 5:73. DOI: 10.3389 / fnins.2011.00073

CrossRef Полный текст | Google Scholar

Чон, Ю., Ким, М., Лим, Д., и Ким, С. (2015). Крутые подпороговые колебания n- и p-каналов полевых транзисторов с гибкой обратной связью с нанопроволоками p + -i-n + за счет модуляции напряжения с двойным верхним затвором. Nano Lett. 15, 4905–4913. DOI: 10.1021 / acs.nanolett.5b00606

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Джо, Дж., Чой, В. Ю., Парк, Дж .-Д., Шим, Дж. У., Ю, Х.-Й. и Шин, К. (2015). Отрицательная емкость органического / сегнетоэлектрического конденсатора для реализации МОП-устройств с крутой коммутацией. Nano Lett. 15, 4553–4556. DOI: 10.1021 / acs.nanolett.5b01130

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Касабов, Н.К. (2014). NeuCube: архитектура нейронной сети для картографирования, обучения и понимания пространственно-временных данных мозга. Neural Netw. 52, 62–76. DOI: 10.1016 / j.neunet.2014.01.006

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Kim, C.-H., Lee, S., Woo, S.Y., Kang, W.-M., Lim, S., Bae, J.-H., et al. (2018). Демонстрация обучения без учителя с пластичностью, зависящей от времени всплеска, с использованием массива флеш-памяти NOR типа TFT. IEEE Trans.Электронные устройства 65, 1774–1780. DOI: 10.1109 / TED.2018.2817266

CrossRef Полный текст | Google Scholar

Ким, С., Исии, М., Льюис, С., Перри, Т., BrightSky, М., Ким, В. и др. (2015). «Нейроморфное ядро NVM с синаптическим массивом памяти с фазовым переходом из 64 тыс. Ячеек (256 на 256) со встроенными нейронными цепями для непрерывного обучения на месте», в конференции IEEE International Electron Devices Meeting , Сан-Франциско, Калифорния, 443– 446. DOI: 10.1109 / IEDM.2015.7409716

CrossRef Полный текст | Google Scholar

Крижевский, А., Суцкевер И., Хинтон Г. Э. (2017). Классификация изображений с помощью глубоких сверточных нейронных сетей. Commun. ACM 60, 84–90. DOI: 10.1145 / 3065386

CrossRef Полный текст | Google Scholar

Лю Ю., Фань Ю. и Чен Дж. (2017). Изображения пламени для прогнозирования содержания кислорода в системах сгорания с использованием ДБН. Energy Fuels 13, 1445–1454. DOI: 10.1021 / acs.energyfuels.7b00576

CrossRef Полный текст | Google Scholar

Ливи, П.и Индивери Г. (2009). «Кремниевый нейрон на основе проводимости в текущем режиме для адресно-событийных нейроморфных систем», в IEEE International Symposium on Circuits and Systems , Hokkaido, 2898–2901. DOI: 10.1109 / ISCAS.2009.5118408

CrossRef Полный текст | Google Scholar

Мун, К., Ча, Э., Парк, Дж., Ги, С., Чу, М., Бэк, К. и др. (2015). «Нейроморфная система высокой плотности с синапсом Mo / Pr0.7Ca0.3MnO3 и нейроном-осциллятором NbO2 IMT», в IEEE International Electron Devices Meeting , Сан-Франциско, Калифорния, 463–466.DOI: 10.1109 / IEDM.2015.7409721

CrossRef Полный текст | Google Scholar

Оствал В., Мешрам Р., Раджендран Б. и Гангули У. (2015). «Сверхкомпактный нейрон с низким энергопотреблением, основанный на платформе SOI», в Международном симпозиуме по системным приложениям VLSI (VLSI-TSA) , Тайвань, 1-2. DOI: 10.1109 / VLSI-TSA.2015.7117569

CrossRef Полный текст | Google Scholar

Park, S., Noh, J., Choo, M. L., Sheri, A. M., Chang, M., Kim, Y.-B., et al.(2013). Синаптическая электроника на основе наномасштабов RRAM: к нейроморфному вычислительному устройству. Нанотехнологии 24: 384009. DOI: 10.1088 / 0957-4484 / 24/38/384009

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Park, Y., и Lee, J.-S. (2017). Искусственные синапсы с кратковременной и долговременной памятью для наращивания нейронных сетей на основе возобновляемых материалов. ACS Nano 11, 8962–8969. DOI: 10.1021 / acsnano.7b03347

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Пуян, П., Амат, Э., Рубио, А. (2014). «Проблемы надежности при создании мемристивных воспоминаний», 5-й Европейский семинар по изменчивости CMOS (VARI) , Пальма-де-Майорка, 1–6. DOI: 10.1109 / VARI.2014.6957074

CrossRef Полный текст | Google Scholar

Qiao, N., Mostafa, H., Corradi, F., Osswald, M., Stefanini, F., Sumislawska, D., et al. (2015). Реконфигурируемый нейроморфный процессор, включающий 256 нейронов и 128К синапсов. Фронт. Neurosci. 9: 141. DOI: 10.3389 / fnins.2015.00141

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Раджендран, Б., Лю, Ю., Со, Дж .-С., Гопалакришнан, К., Чанг, Л., Фридман, Д. Дж., И др. (2013). Спецификации наноразмерных устройств и схем для нейроморфных вычислительных систем. IEEE Trans. Электронные устройства 60, 246–253. DOI: 10.1109 / TED.2012.2227969

CrossRef Полный текст | Google Scholar

Шарад, М., Августин, К., Панагопулос, Г., и Рой, К. (2012). «Спиновая модель нейрона с магнитами на доменной стенке в качестве синапса», в IEEE Transactions Nanotechnol , Vol. 11, Портленд, Орегон, 843–853. DOI: 10.1109 / TNANO.2012.2202125

CrossRef Полный текст | Google Scholar

Су, Л. Т., Чанг, Дж. Э., Антониадис, Д. А., Гудсон, К. Е., и Флик, М. И. (1994). Измерение и моделирование самонагрева в КНИ NMOSFET. IEEE Trans. Электронные устройства 41, 69–75. DOI: 10.1109 / 16.259622

CrossRef Полный текст | Google Scholar

Турага, С.К., Мюррей, Дж. Ф., Джейн, В., Рот, Ф., Хельмштадтер, М., Бриггман, К. и др. (2010). Сверточные сети могут научиться генерировать графы сходства для сегментации изображений. Neural Comput. 22, 511–538. DOI: 10.1162 / neco.2009.10-08-881

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

Вандана, Б. (2013). Исследование эффекта плавающего тела в технологии SOI. Внутр. J. Mod. Англ. Res. 3, 1817–1824.

Google Scholar

Ван, Дж., Кристоловяну, С., Ройер, К. Л., и Заславский, А. (2012). Устройство крутой коммутации кремний-на-изоляторе с обратной связью и инжекцией носителей, управляемой затвором. Solid State Electron. 76, 109–111. DOI: 10.1016 / j.sse.2012.05.061

CrossRef Полный текст | Google Scholar

Ван Дж., Ройер К. Л., Заславский А. и Кристоловяну С. (2013). Систематическое исследование устройства Z2-FET с резкой коммутацией: от механизма до моделирования и приложений компактной памяти. Solid State Electron. 90, 2–11. DOI: 10.1016 / j.sse.2013.02.060

CrossRef Полный текст | Google Scholar

Ван З., Джоши С., Савельев С., Сонг В., Мидья Р., Ли Ю. и др. (2018). Полностью мемристивные нейронные сети для классификации образов с обучением без учителя. Нат. Электрон 1, 137–145. DOI: 10.1038 / s41928-018-0023-2

CrossRef Полный текст | Google Scholar

Wu, C.-C., Wu, W.-F., Su, P.Y., Chen, L.J., and Ko, F.-H. (2007). Влияние защитного слоя на электрические характеристики никелевых силицированных переходов. Microelectron. Англ. 84, 1801–1805. DOI: 10.1016 / j.mee.2007.01.198

CrossRef Полный текст | Google Scholar

Yu, S., Wu, Y., Jeyasingh, R., Kuzum, D., and Philip Wong, H.-S. (2011). Электронное синапсовое устройство на основе резистивной коммутационной памяти на основе оксидов металлов для нейроморфных вычислений. IEEE Trans. Электронные устройства 58, 2729–2737. DOI: 10.1109 / TED.2011.2147791

CrossRef Полный текст | Google Scholar

Чжан, Д., Цзэн, Л., Цао, К., Ван М., Пэн С., Чжан Ю. и др. (2016). «Все спиновые искусственные нейронные сети, основанные на сложных спинтронных синапсах и нейронах», in IEEE Transactions on Biomedical Circuits and Systems , Vol. 10, (Beihang: Beihang University), 828–836. DOI: 10.1109 / TBCAS.2016.2533798

PubMed Аннотация | CrossRef Полный текст | Google Scholar

GATE — Пульт управления GATE

Пульт управления GATE

GATE Control Station — это бесплатное универсальное приложение для настройки, управления и подключения элементов экосистемы GATE, таких как TITAN, электронные триггерные устройства ASTER или тактический компьютер STATUS.Приложение совместимо с устройствами Android, iOS, Windows и macOS. Для подключения к приложению GATE Control Station используйте Blu-Link или USB-Link и соответствующее устройство. Проверьте список совместимых устройств ниже.

Станция управления GATE ™

Обновите прошивку и отрегулируйте настройки вашего ETU дома, используя USB-Link и компьютерное приложение GATE Control Station. Он совместим со всеми версиями прошивки АСТЕР и ТИТАН с обновлением GBU.

GATE Control Station ™ Beta

Наслаждайтесь отдельным приложением для всех тестировщиков и технических маньяков. Вы найдете здесь новые функции, настройки и макеты, прежде чем мы выпустим их в стабильной версии. Получайте удовольствие от тестирования и делитесь своими отзывами.

Мобильное приложение GATE Control Station ™

Загрузите приложение GATE Control Station на свое устройство Android или iOS и наслаждайтесь полным контролем над своим TITAN, ASTER или СТАТУСОМ тактического компьютера на поле или за его пределами.Для подключения к приложению GATE Control Station используйте Blu-Link или USB-Link и соответствующее устройство. Проверьте список совместимых устройств ниже.

Обратите внимание, что в соответствии с политикой Apple OTG приложение GCS для iOS несовместимо с USB-Link. Вы можете использовать его с ключом Blu-Link.

Для подключения тактического компьютера STATUS к устройствам iOS или Android необходимо использовать ключ Blu-Link.

GATE Control Station 2.0 — не поддерживается

GATE Control Station ™ для TITAN без GBU

Просто обновите прошивку и / или отрегулируйте настройки дома, используя USB-Link и компьютерное приложение GATE Control Station ™.

Совместимость

	GCS PC / macOS 3.0	GCS ПК / macOS 2.x	GCS Android	GCS iOS
TITAN с прошивкой GBU	+	–	+	+
TITAN без прошивки GBU	–	+	+	–
АСТЕР	+	–	+	+
СОСТОЯНИЕ	–	–	+	+
TPC	+	+	+	+
USB-соединение	+	+	+	–
Blu-Link	–	–	+	+

Обратите внимание, : для подключения ETU к GCS вам потребуется USB-Link или Blu-Link

Опции управления

	Blu-Link с приложением GCS	USB-соединение с приложением GCS	Программирование через триггер	Карта тактического программирования
Совместимость с ETU с обновлением GBU	+	+	+	+
Регулировка основных настроек	+	+	+	+
Настройка дополнительных настроек	+	+	–	–
Обновление микропрограммы	+	+	–	–
Портативный	+	+	+	+
Проверка датчиков	+	+	–	+
Диагностические коды неисправностей	+	+	+	+
Статистика	+	+	–	–
Обновления и поддержка	+	+	+	–

Действуя как ваша собственная тактическая панель управления, GCS позволяет:

Просто отрегулируйте настройки устройства GATE (TITAN, ASTER, STATUS, Blu-Link и будущие продукты GATE)
Управление подключением с помощью ключей GATE (Blu-Link, USB-Link)
Смотрите статистику и участвуйте в рейтингах *
Отображение данных телеметрии, собранных Blu-Link
Выполнять диагностику и отправлять отчеты

* недоступно в версии прошивки BASIC

Кроме того, GATE Control Station дает вам возможность:

Обновление прошивки GATE ETU
Посмотреть сравнение версий прошивок
Проверить опции, доступные для различных GATE ETU и выпусков прошивки в режиме предварительного просмотра
Связаться со службой поддержки GATE
Получать важные сообщения об обновлениях и новых выпусках

Приложение

GCS разработано для поддержки ASTER, TITAN, Blu-Link, USB-Link и будущих элементов экосистемы GATE.

История изменений

Однородные и ультратонкие диэлектрики затвора с высоким κ для двумерных электронных устройств

1.
Тайс, Т. Н. и Вонг, Х. С. П. Конец закона Мура: новое начало для информационных технологий. Comput. Sci. Англ. 19 , 41–50 (2017).
Артикул
Google ученый

2.
Natarajan, S. et al.14-нанометровая логическая технология, включающая 2 межсоединения FinFET поколения ^и, самовыравнивающуюся двойную структуру и размер ячейки SRAM ² 0,0588 мкм. В Proc. Международная конференция по электронным устройствам IEEE, 2014 г. 3.7.1–3.7.3 (IEEE, 2014).

3.
Робертсон Дж. Оксиды с высокой диэлектрической проницаемостью. евро. Phys. J. Appl. Phys. 28 , 265–291 (2004).
Артикул
Google ученый

4.
Чховалла М., Йена Д. и Чжан Х. Двумерные полупроводники для транзисторов. Нат. Rev. Mater. 11 , 16052 (2016).
Артикул
Google ученый

5.
Fiori, G. et al. Электроника на основе двухмерных материалов. Нат. Nanotechnol. 9 , 768–779 (2014).
Артикул
Google ученый

6.
Десаи, С.B. et al. MoS _{2 транзистора} с длиной затвора 1 нм. Наука 354 , 99–102 (2016).
Артикул
Google ученый

7.
Радисавлевич Б., Раденович А., Бривио Дж., Джакометти В. и Кис А. Однослойные транзисторы MoS ₂. Нат. Nanotechnol. 6 , 147–150 (2011).
Артикул
Google ученый

8.
Ким, Х. Г. и Ли, Х. Б. Р. Нанесение атомных слоев на 2D-материалы. Chem. Матер. 29 , 3809–3826 (2017).
Артикул
Google ученый

9.
Zhu, Y. et al. Однослойные транзисторы на основе дисульфида молибдена с затворами толщиной до одного атома. Nano Lett. 18 , 3807–3813 (2018).
Артикул
Google ученый

10.
Ван Х., Табакман С. М. и Дай Х. Осаждение атомных слоев оксидов металлов на нетронутый и функционализированный графен. J. Am. Chem. Soc. 130 , 8152–8153 (2008).
Артикул
Google ученый

11.
Park, J.H. et al. Осаждение атомного слоя Al ₂ O ₃ на WSe ₂, функционализированном титанилфталоцианином. ACS Nano 10 , 6888–6896 (2016).
Артикул
Google ученый

12.
Alaboson, J. M. et al. Осаждение затравочного атомного слоя диэлектриков с высоким κ на эпитаксиальный графен с органическими самоорганизующимися монослоями. САУ Нано 5 , 5223–5232 (2011).
Артикул
Google ученый

13.
Джонс, Дж. Э., Кармель, Х. Дж., Алабосон, Дж. М. и Херсам, М. С. Исследование структуры и химического состава диангидрида перилентетракарбоновой кислоты на графене до и после осаждения атомного слоя оксида алюминия. J. Phys. Chem. Lett. 3 , 1974–1979 (2012).
Артикул
Google ученый

14.
Britnell, L. et al. Электронное туннелирование через ультратонкие кристаллические барьеры нитрида бора. Nano Lett. 12 , 1707–1710 (2012).
Артикул
Google ученый

15.
Wang, J. et al. Интеграция оксида high-k в MoS ₂ с использованием предварительной обработки озоном для высокоэффективного транзистора с верхним затвором MoS ₂ с исследованием рассеяния носителей в зависимости от толщины. Малый 11 , 5932–5938 (2015).
Артикул
Google ученый

16.
Wang, X. et al. Улучшенная интеграция ультратонких диэлектриков с высоким коэффициентом k в многослойный полевой транзистор из MoS ₂ за счет предварительной плазменной обработки с удаленным формовочным газом. Прил. Phys. Lett. 110 , 53110 (2017).
Артикул
Google ученый

17.
Сяо, М., Цю, К., Zhang, Z. & Peng, L. Рост ультратонкой пленки HfO ₂ на графене путем осаждения атомных слоев. ACS Appl. Матер. Интерфейсы 9 , 34050–34056 (2017).
Артикул
Google ученый

18.
Liu, Y. et al. Приближение к пределу Шоттки – Мотта в ван-дер-ваальсовых переходах металл – полупроводник. Природа 557 , 696–700 (2018).
Артикул
Google ученый

19.
Sangwan, V. K. et al. Количественно повышенная надежность и однородность диэлектриков с высоким κ на графене благодаря самоорганизующимся затравочным слоям. Nano Lett. 13 , 1162–1167 (2013).
Артикул
Google ученый

20.
Dean, C. R. et al. Подложки из нитрида бора для высококачественной графеновой электроники. Нат. Nanotechnol. 5 , 722–726 (2010).
Артикул
Google ученый

21.
Yang, L. et al. Номинальная длина канала 10 нм MoS ₂ полевых транзистора с EOT 2,5 нм и током стока 0,52 мА / мкм. В Proc. 73-я ежегодная конференция по исследованиям устройств 237–238 (IEEE, 2015).

22.
Liao, L. et al. Транзисторы на основе графеновых нанолент с верхним затвором и ультратонкими диэлектриками с высоким κ. Nano Lett. 10 , 1917–1921 (2010).
Артикул
Google ученый

23.
Liao, L. et al. Графеновые транзисторы с длиной канала менее 100 нм. Nano Lett. 10 , 3952–3956 (2010).
Артикул
Google ученый

24.
Cheng, R. et al. Многослойные транзисторы на основе дисульфида молибдена и схемы для высокоскоростной гибкой электроники. Нат. Commun. 5 , 5143 (2014).
Артикул
Google ученый

25.
Wu, B. et al. Точная самоограничивающаяся эпитаксия сверхтонких органических полупроводников и гетеропереходов с учетом ван-дер-ваальсовых взаимодействий. Nano Lett. 16 , 3754–3759 (2016).
Артикул
Google ученый

26.
Ван, К. Х. и Херсам, М. С. Определение характеристик самоорганизующихся органических монослоев на эпитаксиальном графене с молекулярным разрешением при комнатной температуре. Нат. Chem. 1 , 206–211 (2009).
Артикул
Google ученый

27.
Чжао, Ю., Ву, Q., Чен, Q. и Ван, Дж. Молекулярная самосборка на двумерных атомных кристаллах: выводы из моделирования молекулярной динамики. J. Phys. Chem. Lett. 6 , 4518–4524 (2015).
Артикул
Google ученый

28.
Мартин, Дж. М., Вашер, Б., Понсоннет, Л. и Дюпюи, В. Картирование химических связей углерода с помощью EELS спектра изображения в режиме второй производной. Ультрамикроскопия 65 , 229–238 (1996).
Артикул
Google ученый

29.
Wang, X., Xu, JB, Wang, C., Du, J. & Xie, W. Высокоэффективные графеновые устройства на подложке SiO ₂ / Si, модифицированной высокоупорядоченными самоорганизующимися монослоями . Adv. Матер. 23 , 2464–2468 (2011).
Артикул
Google ученый

30.
Zou, X. et al. Разработка интерфейсов для высокопроизводительных полевых транзисторов MoS ₂ с верхним вентилем. Adv. Матер. 26 , 6255–6261 (2014).
Артикул
Google ученый

31.
Wang, B. et al. Диэлектрики затвора с высоким κ для развивающейся гибкой и растягиваемой электроники. Chem. Ред. 118 , 5690–5754 (2018).
Артикул
Google ученый

32.
Cheng, R. et al. Высокочастотные самовыравнивающиеся графеновые транзисторы с перенесенными стопками затворов. Proc. Natl Acad. Sci. США 109 , 11588–11592 (2012).
Артикул
Google ученый

33.
Wu, Y. et al. Высокочастотные масштабированные графеновые транзисторы на алмазоподобном углероде. Природа 472 , 74–78 (2011).
Артикул
Google ученый

34.
Ю., З. и др. Реализация ограниченного фононами транспорта носителей заряда при комнатной температуре в монослое MoS ₂ с помощью диэлектрика и экранирования носителей. Adv. Матер. 28 , 547–552 (2016).
Артикул
Google ученый

35.
Международная технологическая дорожная карта для полупроводников www.itrs.net/2013-itrs.html (Ассоциация полупроводниковой промышленности, 2013).

36.
Pu, J. et al.Очень гибкие и высокопроизводительные дополнительные инверторы из монослоев дихалькогенидов переходных металлов с большой площадью поверхности. Adv. Матер. 28 , 4111–4119 (2016).
Артикул
Google ученый

37.
Фанг, Н. и Нагашио, К. Состояния границы раздела полос и квантовая емкость в однослойном полевом транзисторе на основе дисульфида молибдена. J. Phys. Д 51 , 65110 (2018).
Артикул
Google ученый

38.
Liu, H. & Ye, P. D. MoS ₂ МОП-транзистор с двойным затвором с осажденным атомным слоем Al ₂ O ₃ в качестве диэлектрика с верхним затвором. IEEE Electron Device Lett. 33 , 546–548 (2012).
Артикул
Google ученый

39.
Salvatore, G.A. et al. Изготовление и перенос гибких многослойных тонкопленочных транзисторов MoS ₂ на любую произвольную подложку. ACS Nano 7 , 8809–8815 (2013).
Артикул
Google ученый

40.
Ninomiya, N. et al. Изготовление полевого транзистора MoS ₂ с высоким k / металлическим затвором методом изоляции устройства с использованием травления плазмой Ar. J. Appl. Phys. Япония 54 , 046502 (2015).
Артикул
Google ученый

41.
Choi, K. et al. Зондирование плотности ловушек на полевых транзисторах MoS ₂ с верхним затвором и нанолистом методом фотовозбужденной спектроскопии сбора заряда. Наноразмер 7 , 5617 (2015).
Артикул
Google ученый

42.
Auth, C. et al. 22-нанометровая высокопроизводительная и маломощная КМОП-технология с полностью разряженными трехзатворными транзисторами, самовыравнивающимися контактами и конденсаторами MIM высокой плотности. В Proc. Симпозиум 2012 г. по технологии СБИС (VLSIT) 131–132 (IEEE, 2012).

43.
Wang, L. et al. Одномерный электрический контакт с двухмерным материалом. Наука 342 , 614–617 (2013).
Артикул
Google ученый

44.
Такахаши, Н. и Нагашио, К. Разработка буферного слоя на графене с помощью различных методов окисления для осаждения атомных слоев. Прил. Phys. Экспресс 9 , 125101 (2016).
Артикул
Google ученый

45.
Ся, Дж., Чен, Ф., Ли, Дж. И Тао, Н.Измерение квантовой емкости графена. Нат. Nanotechnol. 4 , 505–509 (2009).
Артикул
Google ученый

46.
Макферсон, Дж., Ким, Дж., Шанвар, А. и Могул, Х. Термохимическое описание диэлектрического пробоя в материалах с высокой диэлектрической проницаемостью. Прил. Phys. Lett. 82 , 2121–2123 (2003).
Артикул
Google ученый

47.
Jeong, S.J. et al. Масштабирование толщины пленок HfO ₂, осажденных атомными слоями, и их применение в графеновых туннельных транзисторах в масштабе пластины. Sci. Отчет 6 , 20907 (2016).
Артикул
Google ученый

48.
Muller, J. et al. Сегнетоэлектричество в простом двойном ZrO ₂ и HfO ₂. Nano Lett. 12 , 4318–4223 (2012).
Артикул
Google ученый

49.
Гусев Е.П. и соавт. Ультратонкие стеки затворов с высоким κ для современных КМОП-устройств. В Международном собрании электронных устройств. Технический сборник 20.1.1–20.1.4 (IEEE, 2001).

50.
Zhong, D. et al. Интегральные схемы гигагерцового диапазона на основе пленок углеродных нанотрубок. Нат. Электрон. 1 , 40–45 (2018).
Артикул
Google ученый

Действия в Google Smart Home | Разработчики Google

действие.devices.types.GATE — Ворота можно открывать и закрывать, потенциально более чем в одном направлении.

Этот тип означает, что устройство получает значок ворот и некоторые связанные
синонимы и псевдонимы.

Возможности устройства

См. Соответствующую документацию по признакам для
детали реализации, такие как атрибуты и состояния, которые должна поддерживать ваша служба, и как
создавать ответы EXECUTE и QUERY.

Обязательные черты

Эти свойства и команды необходимы, если они применимы к вашему устройству.

Требования к качеству

Задержка: должно быть меньше или равно 2500 мс .
Надежность: должно быть больше или равно 97% .

Пример устройства: Простые ворота

Этот раздел содержит пример полезной нагрузки намерения, представляющий общий «Шлюз»
в зависимости от типа устройства и характеристик, указанных выше. Если вы добавляете или удаляете черты в своей реализации,
измените свои ответы соответствующим образом, чтобы отразить эти изменения.

Пример ответа SYNC

Запрос

 {
  "requestId": "6894439706274654512",
  "входы": [
    {
      "намерение": "действие.devices.SYNC"
    }
  ]
}

Response

 {
  "requestId": "6894439706274654512",
  "payload": {
    "agentUserId": "user123",
    "устройства": [
      {
        "id": "123",
        "тип": "действие.devices.types.GATE ",
        "черты": [
          "action.devices.traits.LockUnlock",
          "action.devices.traits.OpenClose"
        ],
        "имя": {
          "name": "Простые ворота"
        },
        "willReportState": правда,
        "информация об устройстве": {
          "производитель": "smart-home-inc",
          "модель": "HS1234",
          «hwVersion»: «3.2»,
          "swVersion": "11,4"
        }
      }
    ]
  }
}

Пример ответа QUERY

Запрос

 {
  "requestId": "6894439706274654514",
  "входы": [
    {
      "намерение": "действие.devices.QUERY ",
      "payload": {
        "устройства": [
          {
            "id": "123"
          }
        ]
      }
    }
  ]
}

Response

 {
  "requestId": "6894439706274654514",
  "payload": {
    "devices": {
      "123": {
        "status": "УСПЕХ",
        "онлайн": правда,
        "openPercent": 50,
        "isLocked": ложь,
        "isJammed": ложь
      }
    }
  }
}

Пример команд EXECUTE

LockUnlock

Для получения дополнительных сведений о параметрах команды,
увидеть
действие.devices.traits.LockUnlock
ссылка.

Запрос

 {
  "requestId": "6894439706274654516",
  "входы": [
    {
      "intent": "action.devices.EXECUTE",
      "payload": {
        "команды": [
          {
            "устройства": [
              {
                "id": "123"
              }
            ],
            "исполнение": [
              {
                "command": "action.devices.commands.LockUnlock",
                "params": {
                  "замок": правда
                }
              }
            ]
          }
        ]
      }
    }
  ]
}

Response

 {
  "requestId": "6894439706274654516",
  "payload": {
    "команды": [
      {
        "идентификаторы": [
          «123»
        ],
        "status": "УСПЕХ",
        "состояния": {
          "онлайн": правда,
          "isLocked": правда,
          "isJammed": ложь
        }
      }
    ]
  }
}

ОткрытьЗакрыть

Для получения дополнительных сведений о параметрах команды,
увидеть
действие.devices.traits.OpenClose
ссылка.

Запрос

 {
  "requestId": "6894439706274654518",
  "входы": [
    {
      "intent": "action.devices.EXECUTE",
      "payload": {
        "команды": [
          {
            "устройства": [
              {
                "id": "123"
              }
            ],
            "исполнение": [
              {
                "command": "action.devices.commands.OpenClose",
                "params": {
                  "openPercent": 100
                }
              }
            ]
          }
        ]
      }
    }
  ]
}

Response

 {
  "requestId": "6894439706274654518",
  "payload": {
    "команды": [
      {
        "идентификаторы": [
          «123»
        ],
        "status": "УСПЕХ",
        "состояния": {
          "онлайн": правда,
          "openPercent": 100
        }
      }
    ]
  }
}

Примеры высказываний

Это образец высказываний, поддерживаемых устройством этого типа, обязательно ознакомьтесь с другими поддерживаемыми языками.

Ворот устройство: Как устроена конструкция секционных ворот?

Как устроена конструкция секционных ворот?

Отличительные черты конструкции и принцип ее функционирования

Особенности сборки и установки

Роллетные системы – устройство и принцип действия

cпособы установки и монтажа

Установка накладных роллетных ворот своими руками

Этапы установки

Подготовительные работы

Разметка ворот под короб с октогональным валом

Монтаж короба и направляющих

Подвешивание полотна

Подключение проводов электропривода и дистанционного пульта

Схема откатных ворот. Устройство откатных ворот. Расчет откатных ворот. Размеры ворот. Откатные ворота

Схема откатных ворот.

Описание устройства и конструкции рулонных ворот

Преимущества системы

Основные конструктивные особенности

Установка рулонных ворот

Устройство автоматических ворот

Оборудование для ворот

Устройство ворот для частного дома. Фото возможных вариантов

Виды ворот для частного дома. Фото образцов

Обустройство распашной въездной группы

Установка опорных столбов

Сборка каркаса

Крепление профнастила

Обустройство раздвижных ворот

Видео откатных ворот

Автоматизация ворот для частного дома. Фото вариантов обустройства

Фото ворот (видео)

Устройство защиты ворот (передвижной шлагбаум)

Введение

Последовательность работы ворот типа A

Последовательность работы шлюза типа B

Требования OSHA и ANSI к силовым прессам

ВОРОТА В СБОРЕ

Строительство ворот

Компоненты узла ворот

Информация о ценах / заказе

Заполняемые формы для измерений затворного устройства

Защитные кромки и сенсорные устройства, сенсорная кромка, переключатель педали, коврик, датчики, пневматическая кромка, детектор движения

Устройства управления воротами безопасности | Услуги безопасного доступа

Типы доступных устройств управления воротами

Картридеры и клавиатуры

Телефонные системы

Таймеры

Передатчики

Введение

Материалы и методы

Изготовление и интеграция устройств

Электрические характеристики

Схема I&F и система с несколькими нейронами

Классификация образцов

Результаты и обсуждение

Ключевые особенности устройства PF

ВАХ предлагаемого устройства PF

Функции I&F устройства PF

Нейронная схема I&F на базе устройства PF

Система с несколькими нейронами

Демонстрация нейрона PF в нейронной сети

Заключение

Вклад авторов

Финансирование

Заявление о конфликте интересов

Дополнительные материалы

Список литературы

GATE — Пульт управления GATE

Пульт управления GATE

Станция управления GATE ™

GATE Control Station ™ Beta

Мобильное приложение GATE Control Station ™

GATE Control Station 2.0 — не поддерживается

GATE Control Station ™ для TITAN без GBU

Однородные и ультратонкие диэлектрики затвора с высоким κ для двумерных электронных устройств

Действия в Google Smart Home | Разработчики Google

Возможности устройства

Обязательные черты

Рекомендуемые характеристики

Требования к качеству

Leave A Reply
Отменить ответ